Mufasa 发表于 2017-1-19 00:11
东芝的存储黑科技？
希望能够改写存储市场，让垄断涨价的奸商付出代价。
看过一个纪录片！东芝因为没钱很多技术人员被韩国三星挖角，东芝很郁闷的，然后有些技术人员因为没钱不得不离职去其它公司，这些离职的在一位退休的东芝高管的帮助下来到了smic，不可否认的说smic百分之80%的高层技术人员全是东芝的前技术员工。因为技术上的壁垒和专利法案的问题，smic是不能够推出同代的产品的，暂时是没有什么希望，只能推出比较老的产品。这次的产品估计是新技术的自有专利产品。我记得这种规格的东西smic早就可以生产了（代工）。
XXHJACK 发表于 2017-1-18 20:12
smic啊！各位知道这个公司的技术骨干有多少是东芝的人么！！！
有啥内幕说说看，东芝现在自己好像还和西数搞一起了
nazca001 发表于 2017-1-18 20:00
要么翻译错误，要么吹牛b，比现有内存快100倍 1000倍？ 而且内存没有耐久度概念。
如果是比SSD快100倍，那 ...
中芯国际的新闻，按道理不存在翻译的问题，除非是中翻英、然后再翻回中文，这就很扯了。
但看楼主的描述，说明这篇新闻的作者、楼主本人双方都根本不了解存储技术的发展情况，或者是在有意误导大众。
看一下之前的各类介绍就能看出来，实际描述的是：
出样的40nm ReRAM性能相比NAND的读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍；同时，密度做到了DRAM的40倍。
也就是除了密度相比Dram提升40倍，其余的部分都是跟NAND比较出来的。
而实际上作为一个前瞻性的技术，它的性能也不要想的太过黑科技，理论性能和实际性能是两码事。
参考Intel的3D Xpoint：理论性能是NAND的1000倍，密度是DRAM的10倍；实际嘛……
当然最有意思的还是Crossbar（中芯国际的合作方）出的稿件：
Crossbar says its technology will deliver 20x faster write performance, 20x lower power consumption, and 10x the endurance at half the die size, compared to NAND.
几百上千倍的性能提升变成了20倍写入速度、20倍节能、10倍耐久度{:1_457:}
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