MLC的制程（制造工艺）是怎么影响读写性能和使用寿命的呢

R_Jacklee · 发表于 2012-7-11 14:34

我知道flash寿命降低的原理是：随着写入、擦除的次数增多，用来困住电子防止跑进、跑出的隧穿氧化层中陷落的电子数量也会增加，为了拔掉这些电子所需要的擦除周期也就越久，慢慢地氧化层积累的电子越来越多，最终会导致擦除动作难以将浮栅恢复为没有电子的状态，这个存储单元也就寿终正寝了。
那么MLC寿命更短的原因是MLC对电平做了更细的划分，每个电平间的差距更小，相同数量的累积电子造成的影响也就越大。
问题是为什么25nm制程的MLC会比50nm制程的MLC寿命短那么多呢？

neeyuese · 发表于 2012-7-11 14:40

一个教室里装100个人，一个教室里只够装50个人，然后你靠人数来区分电平，区分1和0，结果让然就差很多了。

Sumesis · 发表于 2012-7-11 23:21

又或者像能載100人過江的渡輪(SLC),
為了提高運輸量,現在要載200個人(MLC),所以原本有限的空間,要多架高一層,
等200人上船,下船的時間肯定比等100人要來得久....
載了200人的渡輪出事的機率也可能比搭載100人來得高!
同樣的材料成本要做出更大空間的渡輪!
不能用太高檔的(Die Shrink),所以船體也沒以前堅固了!

liangzai1839 · 发表于 2012-7-14 22:02

好多比喻，但是都看不明白

萧风 · 发表于 2012-7-15 16:06

看起来楼主比较较真, 其实道理大家都想的通.不过要从制程上解释，看有没有NAND Flash 工厂的兄弟来解释了！

xmiangui · 发表于 2012-7-15 16:28

个人理解：制成提高、存储密度提高，就相当于“教室”和“渡轮”越做越小了，里面能放的电子也越来越少了，越难以识别状态。

mrxiaojiang · 发表于 2012-7-26 21:12

3楼的比喻很形象

haierccc · 发表于 2012-7-27 18:13

本帖最后由 haierccc 于 2012-7-27 18:14 编辑

反正我就是这样理解的：
每次写入数据，都会有失去电子（或得到电子）的过程，也就是说有氧化反应（或者还原反应）发生。
既然是化学反应，那么就意味着有化学物质被消耗，每次写入，都会消耗一些物质。
很明显，50nm制程所存储的化学物质，要比25nm的要多(物质存储层更厚)。所以能经得起更多次数的消耗。

红色狂想 · 发表于 2012-7-27 20:10

这些比喻真是通俗易懂呀

bssharp · 发表于 2012-7-27 22:38

通俗不易懂……我等p民只能雾里看花了

lin0605 · 发表于 2012-7-29 16:26

呵呵。。真的是很会比喻啊。。也很容易懂

fsnzboy · 发表于 2012-7-30 14:07

不懂啊。。。

MLC的制程（制造工艺）是怎么影响读写性能和使用寿命的呢

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