前言
Haswell平台已经发布有快两个月了，虽然高发热、性能提升小、价格高，加上芯片组有bug等问题让大家对HSW大失所望，很多用户选择观望，但我不得不说HSW有一个很大的提升就是内存超频能力。回忆一下DDR3超频内存的发展历程，我们发现，Nehalem时代我们一般内存跑上DDR3-2000以上就是很强了，SNB时代我们便当DDR3-2133，IVB变数比较大，因为内存控制器体质差异很大，一些不带K的CPU或者E3-1230V2甚至2133都跑不上，而带K的用户跑2400-2666的都有，甚至有用户能跑DDR3-2800日常使用，普遍集中在2133-2400之间。那么到了HSW，内存控制器（IMC）已经基本不构成瓶颈，就算是E3-1230V3和i5-4430都有人跑上了DDR3-3000以上，加上现在可以选择的颗粒已经少了许多，超频内存的选择似乎就变得容易了。这里我就几个比较常见又好超频的颗粒在HSW平台上分享一下调试心得。
首先简单做一下市场分析。我们认为，DDR3内存目前已经走到后期，加上行业洗牌导致颗粒制造商的减少，基本上DRAM已经被SK Hynix和Samsung两个韩国企业垄断，而美光收购了尔必达的生产线，紧随其后，再加上市场上的一些存量PSC、南亚、尔必达等颗粒，已经只能在低端产品上看见。各产品线已经趋于稳定，只是价格会随着行情变化，例如今年年初开始内存价格就大幅上涨，直到现在也还未停止涨势，短期内想回到去年白菜价的行情已经不可能了。所以一个季度之前我们做的内存导购帖，目前依然适用。
经过大半年，集邦DXI指数已经从去年年底最低的3000点以下涨到最高的5200点以上，现在依然维持在5125点。
Haswell平台内存超频要点综述（一）
首先我们明确几个大家公认的观点，如果你不接受或者认为对你没用，就可以不用浪费时间和精力往下看了，PCEVA还有很多其它的精彩文章等着你去看。
1. 内存超频目标：我们日常使用的最大目标内存频率。由于IMC的进步，玩家们对内存频率的追求自然越来越高，SNB时代为2133，IVB时代2133到2666，HSW时代为2400到2933。
2. 要频率还是要时序：优先频率，第一时序次之，越高频时序越不重要。但要优先保证第三时序不能太渣，下边会提到第三时序。
3. 超频内存的作用：大多数时候内存对整体性能影响不大，仅在一些大规模浮点运算，例如压缩、转码、渲染，和对内存延迟敏感的计算，例如SuperPI中影响较大。但作为DIY玩家，内存超频是一项很有可玩性的挑战。
4. 我们说长期使用的内存安全电压不建议超过1.65V，但这是个很保守的建议。你爱用1.7V、1.75V也挂不了，但万一你中500万彩票的运气来了，挂掉了，我可不管。
5. 内存马甲到底有无必要：如不是为了美观则没必要，最多加个普条高度的马甲匀一下发热量。你摸着烫手也就50度，烫不死内存颗粒的。这年头内存过热烧坏的可能性很低，大多数时候是电压过高击穿，发生的概率极小，所以卖内存的才敢终身质保。（当然烧毁有外观损伤的可能不在保修之列）
6. 好周期、纯血混血颗粒到底对体质有多大影响：有影响，但千万不可迷信。目前内存模组厂都会跟DRAM制造厂进一大堆颗粒来筛选，体质最好的内存都是用仪器挑出来的，挑剩的颗粒自然会标到比较平民化的型号上，但也不代表它们没有超频能力。你没那条件或者金钱就不要想拿到那样的顶级体质内存，买个普通内存日常使用无需纠结那么多，能买到所谓的好周期、纯血，当然是更好的，但这些都不属于特挑，只是踩雷的几率小一些而已。
再讲一下HSW的IMC。HSW的IMC电压还是System Agent电压，由于HSW集成了FIVR，SA电压只能用Offset方式加压，一般风冷跑到DDR3-3000这样都是不用加的，而HSW的IMC频率支持极限通常在DDR3-3400以上，所以大家不用担心IMC体质差，随便抓一颗CPU都足够你发挥内存频率的了。另外，HSW对CL12以上、单条8GB内存和四条内存一起插满的支持度有了比较大的提升，一切为了大容量和高频率，虽然HSW的核心不怎么样，但内存控制器中一般人看不见的进步还是很多的。
下面开始讲时序。首先我们超频内存的基本原则：依照颗粒特性设置频率、时序依然没变，这可以帮助你决定影响最大的第一时序，即CL-tRCD-tRP-tRAS这四个，许多用户设置到这一步基本就可以顺利跑上2133甚至2400，BIOS好或者有XMP的帮助，2666以上都是可以的。在HSW平台上，大多数颗粒在SNB、IVB上跑什么时序还跑什么时序，例如Hynix CFR颗粒，在SNB、IVB上跑2133 9-11-10-28，在HSW上还是一样的。
第二时序有时候会影响你超频，尤其注意tRRD和tRFC这两个时序，其它的则一般不影响。一般来说，第二时序可对照下图中的文字说明来设置，不同品牌主板BIOS会有不一样，但时序的名字基本不会变。
以下是技嘉主板的BIOS第一、第二时序设置画面。顺便提以下，tCKE本该属于第二时序，但却在第三时序的最下边。
Haswell平台内存超频要点综述（二）
对于第三时序，在SNB之前并未引起注意，因为2133以下的频率第三时序影响并不大。但在IVB时代，我们跑高频的时候已经发现了3rd timing（第三时序）对性能的影响，尤其是tRRSR和tWWSR（又叫tRDRD和tWRWR）这两个时序对内存带宽的影响非常大，最小值设为4个周期，每加1个周期，内存读写性能就会掉非常非常多，就算你把频率提上去了也得不到性能提升。所以在保证性能的同时，我们尽可能把这两个时序设为4。到了HSW平台，也是一样的。
另外，HSW平台的第三时序比IVB还多，而且我们发现就是那几个字母的组合，很容易混淆。其中RD代表Read，WR代表Write，小写的dr代表different rank，小写的dd代表different DIMM；老版本的BIOS中用R代表RD，W代表WR，SR代表single rank，DR、DD也都是大写。所以老版本中的tRRSR和新版本中的tRDRD是一回事，老版本中的tRRDD和新版本中的tRDRD_dd是一回事。具体含义大家没必要搞懂，我也不费篇幅介绍了。
下图是技嘉主板BIOS的第三时序设置画面：
其中，tWRWR下边的先不管，基本可以无脑设为1T，tCKE本该属于第二时序，上边已经介绍过。那么还剩下12个，是我们说的第三时序，我们可以把这些第三时序归为三类，以方便记忆。
第一类，最重要的tRDRD和tWRWR。上边说了，这两个时序对内存的带宽有非常巨大的影响，最小是4T最大是7T，每提升一个周期大约会掉10%-15%的内存带宽。许多厂商的BIOS把这两个时序设得比较保守，于是就出现了我们看到的不同主板跑在同一频率和时序，效能差别很大的问题。一般来说，tWRWR全程可以跑4T，而tRDRD在内存频率跑在2600到2666以下可以跑4T，2666以上则可能需要跑5，视内存体质而定。下面我记录一些数据，给大家看看tRDRD和tWRWR对内存带宽影响有多大，如果你发现你的AIDA64测试数据不正常，请先检查这两个时序设对没有。
第二类，上图中有四个达到9以上的。其中三个是tRDWR、tRDWR_dr和tRDWR_dd，这三个时序对效能影响不大也不小，一般2400-2800这段频率都设置在10-12，2133以下可使用BIOS Auto。另外还有一个最大的tWRRD，一般在2400以下可设16，2666以上需要设到20，对性能影响不大。
第三类，除了上边提到的之外剩下其它的六个。这当中除了tRDRD_dr和tWRWR_dr之外，其它四个都可以设为1T，但我们发现设为4T效能最好，不过影响其实都非常非常小。而tRDRD_dr一般设为5T不用动，tWRWR_dr大多数时候可设为4T，单条8G的跑高频（2666以上）可能要设为8T。
PSC A3G颗粒：低延迟，小容量
PSC（力晶）颗粒风靡了整个DDR3时代。从最开始活在Elpida Hyper颗粒阴影下被人看不上，到后来的高频低延迟神颗粒，随着内存频率的提高，体质差异大、兼容性较差的Elpida Hyper颗粒渐渐淡出视野，Elpida BBSE和PSC颗粒逐渐被人追捧。而PSC颗粒相比BBSE更容易买到，因此普及化程度也更高。PSC颗粒在DDR3-2133时可运行7-10-7-28的时序，DDR3-2400只要把TRCD放到11即可。
PSC颗粒只有ETT颗粒，没有打上PSC的标，但从下图中唯一一行字，也就是A3G-A结尾可识别出是PSC颗粒。除了A3G-A之外，还有A3G-U、A3G-P、A3G-W等结尾，都是PSC的单颗128MB颗粒。而B3G、C3G则分别为256MB、512MB的颗粒，它们的超频能力都不好。
但是，PSC颗粒有WCL bug，也就是CL比WCL低的时候效能会非常差，到了HSW上，CL比WCL低似乎是点不亮的，所以在跑DDR3-2400时，除非狠加压，否则WCL很难跑到或者6，所以我们通常选择跑CL8，WCL跑7，这样在1.65-1.7V左右即可稳定。所以PSC颗粒比较理想的日常使用设定，在HSW平台上的第一时序是：8-11-7-28，频率为DDR3-2400，第二时序也可以收得比较紧，这是PSC颗粒的进阶特性。
第三时序参考设定：
CPU超频到4.5G时的SuperPI 32M和AIDA64成绩：
进一步加电压到1.93V，WCL可以跑到6，同时也可以跑CL7，SuperPI 32M成绩又有接近1秒的提升。有人说，我在IVB上1.65V就可以跑7-11-7-28 2400了，我说你那是WCL跑8的，受WCL bug影响，效能还不如CL8，你跑CL8看看是不是电压更高？
小结：PSC颗粒的特点是延迟低，非常适合跑SuperPI 32M这类对延迟敏感的计算，但两条内存加起来也只有4GB的容量，对现在来说是少了点，所以PSC颗粒虽然一直很出彩，但很多玩家都仅是收藏着一对，拿来日常使用的并不多。
Hynix CFR：较容易买到，中高频日常选择
现在市面上采用Hynix CFR颗粒的内存还是比较多的，除了普条能买到之外，一些主流高频型号，例如前阵子我们一直推荐的G.Skill F3-17000CL11D-8GBXL就是采用Hynix CFR颗粒，另外海盗船复仇者部分Ver5.12、金士顿的HyperX DDR3-1600 LV、宇瞻盔甲武士DDR3-2133、芝奇的狙击手DDR3-1866等的单条4G或4GBx2套装内存，都有采用Hynix CFR颗粒。
Hynix CFR颗粒的识别特征：第二行编号为H5TQ2G83CFR，下边H9C、PBC都无所谓，标注的频率不一样而已，前者为1333 CL9，后者为1600 CL11。
Hynix颗粒上高频比较容易，而且兼容性较好，四条一起插也很少见出现兼容问题或者超频能力大打折扣的。
对普通体质的Hynix颗粒，我们推荐使用设置：
DDR3-2133 9-11-10-28 1.6-1.65V
DDR3-2400 10-12-11-28 1.65-1.7V
DDR3-2666 11-13-13-30 1.65-1.75V
DDR3-2800 11-14-14-35 1.7-1.8V
以下是Hynix CFR超频到DDR3-2800和2933的时序设置：第二时序不会太好，但总比那些XMP好多了。基本上tRRD在2666-2933都可以跑6，tWTR和tRTP在2933时设为7可在一定程度上帮助稳定。
第三时序：tRDRD设为5，tRDWR的三组适当放宽至12-12-11，tWRRD设为20，其它可保持4。Hynix CFR颗粒大约在DDR3-2600这样tRDRD就要设为5了。
DDR3-2933 11-14-14-35的AIDA64内存带宽测试，并通过SuperPI 32M，时间为6分49秒296，比PSC颗粒稍微快一点点。不过这个时候电压比较高了，达到1.83V。
进一步提升频率到DDR3-3000，电压1.86V，不过由于TREFI我手动设成7936，所以成绩没2933的时候快。
DDR3-3000时的AIDA64内存带宽：
小结：Hynix CFR属于兼容性好，能屈能伸的那个类型。首先它是4x4GB的首选颗粒，在绝大多数主板上插满四条都不会明显影响超频，体质好的Hynix CFR更是可以在HSW平台上跑四根一起DDR3-3000以上。其次，Hynix CFR颗粒在电压不是很高的时候就能跑到很高的频率，使得2666、2800甚至2933日常使用都成为可能，加上可选择的产品很多，所以对于日常使用超频的用户而言，我首推Hynix CFR颗粒。但它也有个缺点，那就是时序不怎么好看，上高频的代价就是放宽时序，例如2800就要走11-14-14的时序了。
三星Rev.D（30nm）：单条4GB跑效能首选
三星30nm颗粒在前段时间被热炒过无数次，从最开始的金条到后来的黑条，商家使用各种包超手段来吸引消费者。但是如今金条已经停产，黑条体质越来越差，好的三星颗粒都被超频内存模组厂例如海盗船、芝奇、Team、金士顿等拿去做高端型号了，我们看到很多标称DDR3-2666 CL10的高端内存，它们实际上都是采用三星颗粒。
三星Rev.D颗粒（30nm）的识别特征：第二行编号为K4B2G0846D，右上角有可能是HCH9、HYK0、HCK0，都无所谓，标称的速度不同而已。有些人说这些标称不同会导致超频能力表现有所不同，有一定道理，毕竟标的高的颗粒可能是经过筛选比较好的，但这也只是超频实战得到的结果，却没有官方的直接证据。
普通的三星颗粒体质差异是比较大的，许多用户只知道走2133 9-10-10 1.5V的便当时序，但是，体质好的三星颗粒，其实有很大的潜力可挖掘。在HSW平台上，我们推荐使用如下设定：
DDR3-2133 9-10-10-24 1.45-1.55V
DDR3-2400 10-11-11-24 1.5-1.6V
DDR3-2400 9-11-11-24 1.65-1.7V
DDR3-2666 10-12-12-28 1.65-1.7V
DDR3-2800 10-12-12-28 1.7-1.8V
DDR3-2800 11-13-13-28 1.65-1.7V
我们看到三星颗粒的推荐设置非常多，可玩性还是很多的，在HSW上如果你还继续便当2133那就太埋没三星颗粒的实力了。下面看风冷状态下优化到极致效能的BIOS设置。首先是DDR3-2800，第一时序设为10-12-12-18，三星颗粒tRAS设低之后SuperPI的成绩会提升，如果你的三星颗粒体质比较好，而且你舍得加电压，加压到2V左右甚至可以走2800CL9。第二时序，tRRD和tRTP可设为3，tWCL设为7，tFAW设为16，tRFC设为120。
第三时序，跟Hynix CFR差不多，tWRRD可设为18，tWRRD_dr/dd设为3效能会最佳。
超频到DDR3-2933，保持CL10不变，tRCD和tRP从12放到13，如果体质好可保持12，tRAS放到21，体质好可保持18。其他均可保持2800时的设定。
第三时序，可保持DDR3-2800时的设定。
按上边BIOS设定优化第二时序之后，SuperPI 32M跑到6分47秒655，超过PSC颗粒的表现。
进一步提升频率到DDR3-2933，虽然第一时序有所放宽，但SuperPI 32M成绩还略微有所提升，达到6分47秒593。
小结：三星Rev.D颗粒效能无疑是单条4G颗粒中的冠军，虽然时序表现不像PSC那么惊艳，但凭借着高频在风冷下能表现出很高的效能。当然，在液氮下，BBSE和PSC可以跑到2666 CL5、CL6这样很变态的时序，又会超越三星重新拿回头把交椅。不过，三星rev.D颗粒四条一起插的时候对体质要求很高，如果有一条体质不好，那么超频能力将会大打折扣。另外，目前市场上三星颗粒体质参差不齐、高端内存天价的状况，也在阻碍玩家选择产品。
Hynix MFR：大容量日常使用首选
Hynix MFR颗粒是单颗512MB的颗粒，也就是可以组成单条8GB的容量。目前Hynix和三星在单颗512MB颗粒中的形势各不相同，其中三星的颗粒比较多，已经到Rev.D了，目前Rev.B的体质还可以，但不方便上高频，基本上IVB就能发挥它的全部潜力，Rev.C则不太行，Rev.D还是未知。而Hynix目前只有MFR和AFR两个颗粒，其中MFR占据市场份额的绝大多数，而且AFR体质还不如MFR，我们就姑且先谈MFR。
Hynix MFR颗粒的识别特征：第二排编号为H5TQ4G83MFR，颗粒封装比较大。
Hynix MFR颗粒体质差异也比较大，并且在提升频率至接近极限时稳定性界限模糊，表现为放大TRFC就能提升一点点稳定性，但要损失很多性能。所以，推荐大家摸到自己的MFR颗粒的极限频率之后，降低1-2个分频（也就是2933过PI32M的降到2666，3000过PI32M的降到2800），跑memtest就比较容易了。
在HSW平台上，MFR颗粒的超频能力比IVB好不少，尤其是对高频的稳定性有了不小的提升，在DDR3-2666时tRFC设为256就可以了。我们推荐的MFR颗粒日常使用设定如下：
DDR3-2133 9-11-11-24 1.6-1.65V
DDR3-2400 10-12-12-28 1.65-1.7V
DDR3-2666 11-13-13-30 1.65-1.7V
DDR3-2800 12-14-14-35 1.65-1.75V
Hynix MFR颗粒和三星的情况有点类似，好的颗粒都拿去做超频内存了，卖出天价，目前单条8GB或者8GBx2套装中最顶级的型号都是使用Hynix MFR颗粒的。剩下的中端采用Hynix MFR颗粒的内存，体质都不是最好的，但也基本能跑到2666这一档。由于大号三星（就是三星Rev.B）的出货量不是很大，目前除了Team LV-2133、芝奇F3-2400C10D-16GTX和海盗船白金灯条的一些Ver 4.13型号之外，大部分单条8G在2133以上频率的都是Hynix MFR颗粒。
先看BIOS设置：以下是超频到DDR3-2933的设置。第一时序没什么好说了，第二时序由于是单条8GB的内存，单颗512MB的颗粒，TRFC要比较大，其它跟CFR颗粒设置基本一样。我们做个极致优化，同样是tRRD、tRTP和tCKE都跑3，tFAW跑16。
第三时序有个不一样的地方，就是tWRWR_dr要跑8而不是4，其它都一样。
DDR3-2933跑SuperPI 32M，电压1.8V。虽然第二时序已经优化了，但成绩并不是很好，达到6分51秒767，原因是tRFC太大。
DDR3-3000就不能那么容易通过SuperPI 32M了，把第三时序放到非常渣的程度才勉强通过，这时候使用时间达到7分钟以上，并且可以从AIDA64带宽测试中看出效能比上图中大幅下降，基本和DDR3-1866一个水平。
1.65V DDR3-2666 11-13-13-30，第二时序效能优化，可轻易通过memtest：
小结：我们看到Hynix MFR颗粒在延迟方面表现并不是很好，但在跑DDR3-2666时我们手上这套内存依然可以跑tRDRD=4，这样AIDA64内存读取速度就能达到40000MB/s以上，对一些大规模浮点运算，例如渲染类，高内存带宽对性能提升是有一定帮助的。但不管怎么说，以不是很高的电压跑稳DDR3-2666，并且两条就能组16GB的容量，四条兼容性还算不错的颗粒来说，日常使用的需求它都满足了。
结语
上边我们分别测试了四种主流内存颗粒在HSW平台上的表现，首先我们做个成绩汇总，取每个颗粒的最好成绩。
SuperPI 32M，在HSW平台上风冷是三星颗粒最快，但是在液氮下，PSC颗粒肯定会反超，并且BBSE颗粒会比PSC更快。
AIDA64内存带宽，频率最高的HY CFR自然快。HY MFR和三星都跑2933，自然是三星延迟更低的更快一点。
另外在最后教给大家一个跑SuperPI 32M的小技巧，那就是CPU每个核心速度不一样，不仅是HSW，其它架构的CPU也是一样的。首先，SuperPI 32M想取得好的成绩，首先要使用WinXP、2003系统，并做很多优化，优化方法每个超频玩家都自己有一套心得，并且是对外保密的。这里我不是为了破世界纪录，就直接用Win7跑，简单优化一下系统能跑得更快。
1、在BIOS里关闭CPU超线程、关闭声卡、网卡、USB3.0、串口等，以及节能、虚拟化；
2、用诊断模式启动系统；
3、把主题设为Windows经典；
4、把系统进程的核心相关性去掉一个核心；
5、打开SuperPI，把它的进程相关性设为刚才去掉的那个核心；
6、把SuperPI进程优先级设为实时。
首先，我们看一下分别指定核心0/1/2/3跑SuperPI，其它核心跑系统进程，四个核心的成绩对比。由于版面关系，我只上最快的那张图。
四个核心的成绩数据对比：
我们看到，我这颗CPU是第二个核心（核心1）速度最快，比其它三个核心快了0.5-1秒。根据一些玩家的经验，似乎大多数CPU都是这样的，但也有少数CPU例外。所以，建议大家可每个核心单独试验。
总的来说，HSW CPU对内存超频的限制已经彻底解放，当内存控制器不再构成瓶颈，对大容量内存支持更好时，限制超频的因素自然也就落在内存本身上。鉴于当今内存模组厂对内存颗粒筛选机制越来越严格，想要捡漏基本已经不可能了，所以，建议大家保持一颗平常心，自己没有条件特挑或者不愿意砸钱买特挑内存，就要学会知足，一套能满足日常超频使用的好内存就足够了。
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