再次开盖有奖？Core i7-4770K正式版开盖前后温度变化实测

更新：184楼开第二颗4770K，ES，降温18度。点此直达
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一年前Intel在22nm的IVB上改用硅脂作为核心和顶盖之间的导热介质，比起之前的钎焊（焊锡）更节约成本，并且被怀疑导热效果更差。我为了验证导热效果，把3770K的顶盖打开，并且换用了几种导热介质之后，发现温度并没有降低很多，最多得到了7度的降温。

后来也有其它用户给他们自己的CPU开盖，有些跟我一样并没有降温很多，但有些用户开盖之后降温效果很明显。所以，对于IVB来说，我们的结论是不同的CPU开盖后降温效果不一样。由于这个降温结果在开盖前是未知的，加上开盖会导致失去保修、操作难度高、还有损坏CPU的风险，并且不开盖在超频到4.5G的日常使用频率后，温度也并没有轻易达到105度的Tjmax，结合各种因素，我们还是不建议给IVB开盖。

一年之后，Intel发布了Haswell（本站评测）处理器，在温度表现上再一次让大家失望。HSW非但没有解决IVB的高温问题，由于集成了FIVR（整合供电系统），加上AVX2、翻倍的L1、L2数据带宽，让处理器的功耗和温度进一步提升，一时间，各种关于HSW的高温状况议论四起。有用户希望我再给HSW处理器做一次开盖测试，看一下开盖之后能否解决HSW的高温问题。

为了增加说服力，本次测试我使用一颗正式版的i7-4770K。首先提醒一下，目前正式版的4770K满街都是雷U，绝大多数超频到4.5G想通过烧机都成问题，某些ES的超频能力反而好一点，建议想超频的用户先暂时观望，顺便等着新步进的8系列主板出来之后再做决定是个比较好的选择。


注意：以下行为非常危险，首先会让你的CPU失去保修，其次稍不注意如果损伤核心，就会让你的CPU一命呜呼，所以大家可以围观，切勿效仿！本人对任何因把CPU顶盖打开造成的问题不负责任！

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上次我们已经验证过IVB的顶盖本身对导热能力影响并不大，无论是散热器直接接触核心，还是通过顶盖作为导热介质，温度差距都不会超过0.5度，关键出问题的地方还是在于核心和顶盖（散热器底座）接触的硅脂。所以这次我就省略了CPU核心直接接触散热器底座的测试，直接开盖换上酷冷博Liquid Ultra液态金属作为导热介质。

测试平台：
CPU：Intel Core i7-4770K
主板：技嘉Z87X-OC
内存：G.Skill F3-17000CL11D-8GBXL
显卡：MSI N660 TwinFrozr 2GD5/OC
硬盘：Plextor PX-128M2P
电源：Enermax Revolution 85+ 1050W
散热器：Noctua NH-U14S

CPU顶盖->散热器（外部）导热介质：采融Megahelems Rev.B原配硅脂
CPU核心->CPU顶盖（内部）导热介质：去年开3770K的顶盖用剩下的酷冷博Liquid Ultra

室温：全程26度空调，测试环境：裸机


首先看下这颗CPU的正表面，周期L306B334


这次开盖我们使用Gillette的刀片，这种刀片用在剃须刀里，男生应该都知道，我就不多介绍了。友情提示：千万不要用钝刀片或者厚的刀片去切CPU的封胶，否则很容易划伤PCB，后果就是CPU直接挂掉。为了保险起见，多买几片是不错的选择。


还是和3770K一样切开顶盖四周的黑胶，切的时候注意不要用太大力道，看下图，切左边和顶上的时候不要切太深，以免切到核心和电容，另外注意安全不要切到自己手指。切开之后里边毫无疑问是和IVB一样的硅脂。


完工，近距离特写一张


顶盖背后的硅脂，也还是又干又硬的，和IVB的一样。


把CPU核心上的硅脂和周围的黑胶大概清理一下再来一张特写，比IVB多了一排滤波电容，作为Vccin输入的滤波


侧面


直接找出去年用剩下的Liquid Ultra，刚好还剩一点点，不过也够用了


涂薄薄一层就好，涂多了反而影响导热效能


然后把顶盖盖回去，我们在核心周围贴点双面胶以便固定顶盖的位置。双面胶受到CPU插座和CPU散热器的压力并且受热之后，可以和PCB粘合得比较牢固，想再次打开顶盖的时候，也比较方便。


最后把顶盖上的硅脂和黑胶擦干净，盖回去，大功告成。


准备上机！


由于这颗正式版CPU是大雷，开盖前4.5G我怎么也跑不稳，退而求其次跑4.4G，核心电压Vcore=1.25V，外部供电输入电压为默认的1.8V。Ring频率由于技嘉主板BIOS的bug，无法同步，最大3.9G，Vring设为1.1V，内存运行DDR3-2666 11-13-12，电压1.725V，其余电压默认。

测试运行20分钟的Prime 95 27.9 Blend模式，在第十分钟开始记录温度，到20分钟之后截图。有人说Small FTT模式温度更高，为什么不用？我知道温度更高，只是开盖前妥妥的直接100度，会降频，没有办法和开盖之后公平对比。

开盖前：烧机20分钟后，四个核心平均温度为78.5/78.4/78.2/77.1，Realtemp录得最高温度为88度。


开盖后：烧机20分钟后，四个核心平均温度为63.1/65.5/66.2/65.9，Realtemp录得最高温度为73度。


做个图表汇总一下数据


我们看到，我手上这颗i7-4770K开盖后获得了12-15度的降温，效果还是比较明显的，但也许和IVB一样，这并不代表普遍情况。但不管怎么说，降温之后最高不到80度的温度是可以让人接受的，而且，之前跑不了4.5G的，开盖之后可以跑了，以Vccin=2V、Vcore=1.315V的设定跑下4.5G，20分钟烧机之后最高温度来到80度，开盖之前根本坚持不了几分钟，而且温度就已经快90度了。


不过不管怎么说，无论是IVB也好，HSW也好，22nm的制程导致发热密度变大，发热量更加集中，这个问题随着晶体管的缩小，我认为是不可避免的，和FinFET（3D晶体管）减少漏电率并没有直接矛盾，并且这个问题很可能在未来的14nm上愈演愈烈，Intel放弃钎焊改用硅脂作为核心和顶盖之间的导热介质，又在一定程度上影响了散热。除了制程本身的问题之外，HSW更热的原因，我认为有两条：一是Intel在HSW里集成了整合供电，它和外部供电一样会因转换损耗而发热，并且这部分的发热在HSW整体功耗的增加上已经可以体现出来，是不能轻易忽视的。二是HSW的L1、L2缓存带宽翻倍，在一些纯靠核心、高速缓存的浮点计算应用（比如之前我提到的几个会热爆的烧机程序——Prime95 small FTT、LINX、IBT、AIDA64 FPU等），会让整体发热量都集中在核心部分，造成CPU核心温度高得可怕，当然，平时日常使用并不会轻易出现这种情况。

所以，本次测试说明给HSW开盖确实有奖，但也不代表全部，很可能每颗CPU都会不一样，对于是否值得给HSW开盖，我的结论还是和开头对IVB的态度一样，在各种可能让CPU挂掉的风险存在的情况下，建议大家慎重考虑。不过如果大家感兴趣，并且有勇气一试，也欢迎来提供测试结果！

顶 r大         

威武啊。

100块买液态金属还要冒没保修和挂U的风险，值不值得赌一回，还真是见仁见智了。

再次掀起开盖热潮～

卧槽。。。15度。。。

日常用户不建议开盖。
极限超频组，随你怎么玩~

呵呵，真坑啊，还是snb好

前排留名 坐等开盖上液氮

如果这是普遍现象，个人感觉：散装、特挑、已开盖换硅脂、加价销售的U将会是卖家又一条好的赚钱渠道。不过无论技术多么过硬，开盖都存在风险，每个开盖换硅脂的U平均加价100的话，2200的U也只能保证22连开时坏一个不赔不赚……

solonace 发表于 2013-6-18 16:06
如果这是普遍现象，个人感觉：散装、特挑、已开盖换硅脂、加价销售的U将会是卖家又一条好的赚钱渠道。不过 ...

在霓虹国以前有个这样卖的新闻么

R大的大作，先回复再慢慢看。

solonace 发表于 2013-6-18 16:06
如果这是普遍现象，个人感觉：散装、特挑、已开盖换硅脂、加价销售的U将会是卖家又一条好的赚钱渠道。不过 ...

手法老道的话，开坏的几率还是很低的了，不过大概算上液态金属的话，加100估计没人愿意做。。

开盖技术要求好高，不过总算有奖，还好

前排就坐，先顶再看，R大辛苦拉

这个降温算很显著了吧，当然是不是个例不好说。

果然……看到标题就知道是谁发的了。

干脆英特把带K的CPU顶盖改成螺丝固定或者什么的算了。这样大家就不用这么费力去开盖。

我的3770K开完后涂上液态金属，后期再次开盖检查的时候发现核心附近的PCB上会有少量的液态金属溢出。。我看着排电容离核心挺近的。。。感觉流上去会短路。

我的态度，宁可默认用 ，我都不开盖。其实吧我比较有原厂癖好

这个个体的效果还不错。