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1#
Suser 发表于 2010-10-29 01:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
点击数:2984|回复数:3
我们都知道内存跟显存用的内存颗粒都是一样的

当我们在DDR内存时代显存已经使用到GDDR3了

DDR2时代显存已经到GDDR5了

这个问题肯定很初级,但是的确困扰我很久了
为什么内存发展会比显存慢很多呢?
2#
royalk 发表于 2010-10-29 13:42 | 只看该作者
不一样的哦
http://tech.163.com/digi/09/1014/14/5LJH191J001618J1.html
看完这篇你就懂了
3#
royalk 发表于 2010-10-29 13:50 | 只看该作者
举个例子:三星的HJ08 GDDR3显存 频率为1200MHz(DDR-2400),CL值应该是12-14这样,电压是2.05v,具体记不太清楚了。

而三星的DDR3内存颗粒为HCF0/HCF9,规格应该都是1.5v DDR3-1333到1600的,CL是9。这些都可以从三星官网找到相应的PDF的。。

三星的GDDR3颗粒PDF:http://www.samsung.com/global/sy ... 4j52324qh_rev10.pdf
4#
playcent 发表于 2010-11-1 10:00 | 只看该作者
回复 3# royalk


    解惑了~
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