学习学习再学习，提升提升再提升，不懂的就要学。

neeyuese · 发表于 2010-9-7 05:15

本帖最后由 neeyuese 于 2010-9-7 09:22 编辑

60G OCZ VERTEX2 的 ATTO成绩。

ICH9上全默认跑，跑出了官方标称值285/275。主控最大带宽，NCQ优化4级深度，模型为00000000或者FFFFFFFF，可以完美压缩的数据流。

测试模型为FF00FF00,AA55AA55。数据模型可压缩近50%，单线程，跑出基本2倍于真实NAND速度的能力。（基本反映大部分系统文件的读写能力）

测试模型为随机（随机0~F）。跑出"随机数据"单线程"持续"速度。类似HDtune的块分别从512B开到8MB跑的成绩。

测试模型为升序。跑出单线程"持续"速度，数值和CDM的第一项"持续"速度基本吻合。

这几组测试能充分体现出SandForce主控SSD的"压缩算法"在各种数据模型下的真实"持续"能力。

ICF09上Intel自曝X25-M的随机写入耐久度数值。80GB的写入7.5TB的随机文件耐久度，160GB的写入15TB的随机文件耐久度。

在barefoot主控上的小资料:固件2030更新了各大颗粒P/E值 = 平均可编程数。（关乎寿命）对应 OCZ = Firmware 1.6
Samsung 5x nm NAND : 10K -> 5k, Samsung 4x nm NAND : 10K -> 3k,
Intel/Micron 3x nm NAND : 10K -> 5k,
Hynix 41nm : 10K -> 5k, Hynix 32nm : 5K -> 3k
根据：fw2030 on SuperTalent

而立之男 · 发表于 2010-9-7 13:31

2楼围观

jinxin · 发表于 2010-9-7 13:44

3L学习　

Suser · 发表于 2010-9-7 13:47

4L头晕{:2_38:}

badaa · 发表于 2010-9-7 21:30

gen1有压力啊，继续存零用钱

ipod · 发表于 2010-9-7 22:59

活到老学到老。谢谢LZ

bill5267 · 发表于 2010-9-8 09:40

7L表示要好好学习天天向上~~

无心飘落 · 发表于 2010-9-8 13:08

gen2压力不小啊，同存零用钱...

PlutoXX · 发表于 2010-9-8 16:17

9L表示要好好学习天天向上

karl.12 · 发表于 2010-9-8 16:29

10楼表示等G3

piggood · 发表于 2010-9-9 11:16

11L 表示不知道OCZ V2 40G的随机写入耐久度是多少T。{:4_156:}

yy5603 · 发表于 2010-9-9 12:26

12楼表示一下。。。。。。。。{:2_33:}

ffq444 · 发表于 2010-9-9 21:08

13F表示学习很多！

kfg · 发表于 2010-9-9 21:31

14谢谢浴大。。

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