自从换了镁光M4以后，问题不断啊不断。。求各路高手帮忙。

drifting 发表于 2012-1-2 21:03
Secure Erase 每个厂家具体怎么执行的我不知道，我就试过 M4 的 SE，是一瞬间完成的，当时那张盘已经是有 ...

我让你做Secure Erase是因为我清楚的知道美光的SSD在用了这个指令后会如何，而你用XS上三星的靠Secure Erase不能恢复性能来和我说，我可没让你的三星做Secure Erase。








Micron的SSD在做Secure Erase时候会对出厂坏块都做擦除一次，所以Erase Fail那个Smart的值也会增加。至于你说的安全不安全，这个行业标准，如果你觉得不靠谱，可以不使用。

travis 你对逻辑坏块的解释相当于啥都没说。

看来你还是没理解啊……一个是由于CELL的原因造成写入的数据会有错误，是会持续复现的，一个是由于外部原因造成了数据过不了校验，这个CELL被其它数据覆盖以后就不会出错了，这就是物理和逻辑坏块的区别。主控自己会有一套坏块管理的机制。

neeyuese 发表于 2012-1-2 19:18
我让你做Secure Erase是因为我清楚的知道美光的SSD在用了这个指令后会如何，而你用XS上三星的靠Secure Er ...

首先，对于 M4 如何做到一瞬间（我这里问题盘是几秒钟的时间，官方规格说的 60 秒以内）就擦掉 512G 的数据，我表示质疑，真的每个 block 都擦掉了？我还是认为仅仅是擦掉了密钥。

其次，重建 FTL 到底有何用？如果一张盘本身有物理坏块（出厂时没有被正确标记出来的），并且这坏块可以随着用户的正常使用（而非压力测试）扩散，那么我就认为这盘是质量不过关的。

纠结·····又希望版主直接丐了这个蛋疼的货·····有希望这货能多存在一会，引发更多争论让我多学习一些东西········

travis 发表于 2012-1-2 19:25
看来你还是没理解啊……一个是由于CELL的原因造成写入的数据会有错误，是会持续复现的，一个是由于外部原因 ...

你所说的外部原因都包括哪些？能举例吗？

1.512GB m4 颗粒的L74A Erase操作是3ms一次，Block大小是2MB，内部2个plane交叉操作则是3ms可以擦4MB，外面64个CE（16个颗粒，每个颗粒内部4个Die封装）交叉操作就是3ms可以擦256MB，12ms可以擦1GB，那么1s可以擦多少GB呢？ 你自己去想吧。

2.没有FTL的话SSD没法工作，重建FTL是为了重新开始。随便你了，发完这贴不想再回答你了，你就钻牛角尖一直钻下去吧，果然还是听不进。

drifting 发表于 2012-1-2 21:32
你所说的外部原因都包括哪些？能举例吗？

给你看2张逻辑坏块的SSD图吧，一张是G2的，一张是海盗船用Marvell方案的M2S。






在图中这个LBA地址上的数据读取出来和写入时候放进颗粒后端SA区的ECC码无法纠错了，造成这种错误一般是写入的时候掉电造成的。

这种坏块是逻辑上的（文件本身逻辑损坏而已），物理上是好的（颗粒上没问题），所以在做Secure Erase后或者在当前位置再次覆盖时即可完全修复，而且如果SSD坏块管理做的没问题，则不会增加重映射。

这种问题可以靠增加掉电保护来防止。