重测三星40nm黑条，在APU平台上的表现

royalk · 发表于 2011-8-16 12:15

APU平台由于Llano改良了内存控制器，可以算是继P55之后冲内存频率最好用的一个了，之前使用力晶达成了DDR3-2640，见链接：http://bbs.pceva.com.cn/thread-23060-1-1.html
接下来为30nm三星内存测试做准备，先上一点40nm的数据对比。因为SNB平台现在不在我手上，所以估计只能用APU平台测30nm的了。之前SNB平台的那些成绩就已经不能拿来对比了，所以重测一次。
我手上这两条内存，体质差异较大，之前在SNB平台测试有一条不能点亮2133，跑1866也只能8-10-10，而另一条则是2133 9-11-10，算是正常体质吧。

三星的内存，TRAS和TRC都可以收紧一点，另外1866以上CR设2T有助于提高稳定性。
另外TRFC设110，跑2000是点不亮的，需要设到160。
两条内存一起上，APU平台1600 7-9-8-20-27-1T 1.6V

1866 8-10-9-24-33-2T 1.65V

2000 9-11-10-24-33-2T 1.65V

2133虽然两条可以点亮，比SNB稍好点，但是无论如何也不能进系统。发现CL10或以上、TRCD/TRP设12或以上，对超频均无帮助。
这些数据，到时候拿来和30nm的对比，希望我拿到的30nm的体质有所进步吧。

ctq119 · 发表于 2011-8-16 12:23

果断沙发围观……

liwenchao · 发表于 2011-8-16 12:28

等30nm新品测试。

hellhost · 发表于 2011-8-16 12:29

期待R大的30NM~~

lovemaomao · 发表于 2011-8-16 15:36

30nm看最近的测试还是要强一些的

kinno · 发表于 2011-8-16 16:21

前排表计

mykmyk · 发表于 2011-8-16 17:24

期待30nm黑条的表现

与非鸟 · 发表于 2011-8-16 17:53

果断围观

magicalz · 发表于 2011-8-16 18:11

30nm在低时序上的表现更加稳定一些，高频方面还待R大测试

max3396 · 发表于 2011-8-16 19:27

强力插入前排

lk111wlq · 发表于 2011-8-16 19:46

坐等2640+

yh47567021 · 发表于 2011-8-16 21:22

果断围观。期待新品测试

baconsuper · 发表于 2011-8-17 11:10

前排围观~~

重测三星40nm黑条，在APU平台上的表现

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