看浴室M4测试第3部分:
M4 64GB 采用的是单面PCB,8颗(29F64G08CFACB)L73A(2 die)闪存组成64GB 8通道 每通道 2Die (1 Bank)
M4 128GB 采用的是双面PCB,16颗(29F64G08CFACB)L73A(2 die)闪存组成128GB 8通道 每通道 4Die (2 Bank)
M4 256GB 采用的是双面PCB,16颗(29F128G08CFAAB)L74A(2 die)闪存组成256GB 8通道 每通道 4Die (2 Bank)
M4 512GB 采用的是双面PCB,16颗(29F256G08CJAAB)L74A(4 die)闪存组成512GB 8通道 每通道 8Die (2 Bank)
从上图的解析后进行纯理论性能分析:
M4容量 Die数量/颗粒数量 Page/Block大小 CE数量
64GB 16/8 4KB/1024KB 16
128GB 32/16 4KB/1024KB 32
256GB 32/16 8KB/2048KB 32
512GB 64/16 8KB/2048KB 32
纯理论性能分析:持续读取速度这里每个容量的SSD都不是问题。从写入速度上来看,128GB的随机和持续写入是64GB的2倍(因为有2倍CE和Die),随机读取上64GB相比128GB会低一点点。256G的持续写入应该比同样CE和Die数的128G性能提升50%以上(8KB的优势),而随机读取性能会受到大Page的影响,跑4KB的话会不如128GB的性能那么好,不过可以靠固件算法慢慢弥补并接近,大Page造成的随机写入影响可以被缓存优化掉,所以不受影响。512GB由于CE数和256GB相同,持续无提高,随机会受到更多因素影响,不如256GB性能强。
M4的主控采用的还和C300一样的Marvell 88SS9174,只是后四位换成了BKK2,下方第三行从A2P变成B1P(步进?)
这个主控内部是2颗ARM9处理器,1颗负责主机请求,另一颗负责闪存请求,主控为8通道。主控下方和PCB背面的应该是DC-DC转换电路。
这图是256G空盘关闭节能的成绩,然后参考上面,你觉得512应该多少? |