三星明年量产300+层堆叠V-NAND闪存

据DIGITIMES报道，三星准备从明年开始量产具备300层以上堆叠的第九代V-NAND闪存。当前第八代V-NAND闪存具备236层堆叠，在去年11月正式宣布量产。

据说300+层堆叠的第九代V-NAND将沿用第八代V-NAND上开始采用的双堆栈结构。三星可能会制造两个150层以上的堆栈，然后将它们层叠起来，从而增加闪存密度。在这之前三星曾在第六代V-NAND上实现单堆栈的136层3D闪存。

作为对比，英特尔的144层3D闪存使用了3堆栈技术。上周SK海力士宣布的321层3D闪存也采用了3堆栈设计。三星第九代V-NAND每个堆栈的层数更高，双堆栈设计理论上会具备生产效率方面的优势，当然也需要应对更多技术和良率方面的挑战。

三星计划在2030年实现3D NAND闪存的1000层堆叠。据说未来的三星第10代V-NAND闪存将具备430层堆叠，并首次采用三堆栈的方法来实现。