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AMD RSR1.1更新|BiCS6闪存写入提速

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绝对有料 发表于 2022-5-12 13:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
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AMD 5月预览版显示驱动:
几乎是和RX 6x50系列发布的同时,AMD放出了5月预览版显示驱动程序,主要提供了Radeon Super Resolution 1.1更新,并优化了RX 6000显卡在DX 11游戏中的性能表现。
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RSR是在游戏不兼容FSR时的备用选项,可以适用于所有游戏。RSR 1.1版包括了一个锐化效果调节滑块,允许玩家对其进行微调。
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相比RSR 1.1,玩家们对新驱动的另一项内容更感兴趣:AMD表示新驱动能够将DX 11游戏性能提升平均10%,个别游戏如《刺客信条奥德赛》提升最高可达28%、《魔兽世界:暗影国度》提升最高可达30%。
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从用户实测来看,AMD还是谦虚了。据CapFrameX的测试,RX 6800 XT配合新驱动之后,《战神》的性能提升幅度高达41%。
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尽管AMD没有说,但老显卡应该也能从新驱动当中受益。有RX 480用户表示在更新驱动后守望先锋的性能提升了大约15%。

BiCS6闪存写入速度提升6倍:
铠侠和西数合作研发BiCS闪存,并共同运营着7座晶圆厂。在What’s Next活动上,西数披露了BiCS闪存的技术发展路线图。

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目前在铠侠SE10和浦科特M10e当中使用的是2020年开始量产的112层堆叠BiCS5,西数新推出的黑盘SN850X也将基于这一闪存。其继任者是162层堆叠的BiCS6,预计今年底进入量产。
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西数的技术与战略总裁 Siva Sivaram重点介绍了BiCS6的QLC变体。它拥有比TLC变体更小的芯片面积和更高的存储密度,单个晶圆可以产出100TB容量的闪存芯片。尽管堆叠层数比美光和SK海力士的176层QLC闪存要低一些,但存储密度却超越了对方。
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很多朋友一听QLC就摇头:寿命且不说,写入速度慢是硬伤,作为SSD缓外写入100MB/s左右简直不能忍。针对这一痛点闪存原厂自然也在大力改进:BiCS6的QLC变体具备60MB/s的编程速度,是英特尔144层QLC的1.5倍,是自家96层BiCS4 QLC的6倍有余。尽管还是比BiCS6的TLC版本慢6成左右,但配合四通道主控也算能用了。
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作为远期目标,“BiCS+”将针对数据中心应用进一步优化:存储密度相比BiCS6提升55%、接口速度提升60%、编程写入带宽提升15%。BiCS6应该是200层以上堆叠高度,但是西数没有说具体哪年推出。

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根据闪存技术路线图,铠侠和西数未来还会引入多重晶圆键合等技术,大约到2032年闪存堆叠层数可达500层以上。

Fire 发表于 2022-5-20 02:50 | 显示全部楼层
NVIDIA RTX IO这个技术不知道什么时候能在PC上普及。
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