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傲腾会不会是使用了FERAM技术?

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1#
kingyesx1 发表于 2021-12-14 09:15 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
点击数:2175|回复数:13
http://www.pceva.com.cn/article/5847-1.html
其中的一段话我想到傲腾使用的可直接擦写内容的技术是一样的?和傲腾的特点几乎一样(INTEL一直没公布傲腾使用的技术)(FERAM铁电存储器)

将FeRAM作为eDRAM也非常有趣。FeRAM铁电存储器本身和NAND闪存一样属于非易失性存储,同时FeRAM还具备低延迟、高耐久和支持直接覆盖写入等特点,使得他可以作为SRAM的一个补充,提供更大缓存容量的同时还具备断电不丢数据的特殊能力。英特尔会如何利用FeRAM的这些特性还有待后续观察。”





2#
nighttob 发表于 2021-12-14 12:03 | 只看该作者
想多了,能商业应用的肯定是基本成熟的技术,不可能是还在发论文研究的阶段
Optane是PCM相变存储,虽然Intel不承认,但全世界都这么认为
新的NVM技术都是不需要擦除的,别随便看到一个就代入
3#
kingyesx1  楼主| 发表于 2021-12-14 12:40 | 只看该作者
nighttob 发表于 2021-12-14 12:03
想多了,能商业应用的肯定是基本成熟的技术,不可能是还在发论文研究的阶段
Optane是PCM相变存储,虽然Inte ...

没想多啊。而且不是説看到就代入,你可以看看像有傲腾一样特点的技术多不多既然INTEL没公开説傲腾用的是什么技术,又是怎样确定傲腾用的是相变PCM?

FERAM技术成熟先从傲腾开始应用。再改良加入到CPU内核里面不正常吗?
如果説先用在CPU内核上反而不正常.

4#
eikeime 发表于 2021-12-14 15:26 | 只看该作者
3dxpoint 是 ReRam 的子集。
不同理念的东西。
5#
haierccc 发表于 2021-12-14 20:12 | 只看该作者
本帖最后由 haierccc 于 2021-12-14 20:13 编辑

我也听说是相变存储器。
还听说国内也在研究这个。
其实更关注长寿命的外存技术,比如玻璃存储。
6#
nighttob 发表于 2021-12-14 20:16 | 只看该作者
kingyesx1 发表于 2021-12-14 12:40
没想多啊。而且不是説看到就代入,你可以看看像有傲腾一样特点的技术多不多既然INTEL没公开説傲腾用的是 ...

好吧。反正只要Intel不承认,咱随便说啥都行。
但就我所知目前容量能做到这么大的就只有PCM,其他的要不成本爆炸,要不还是SRAM密度水平。
7#
eikeime 发表于 2021-12-15 15:55 | 只看该作者
nighttob 发表于 2021-12-14 20:16
好吧。反正只要Intel不承认,咱随便说啥都行。
但就我所知目前容量能做到这么大的就只有PCM,其他的要不 ...

intel 自己都说过是阻性存储 所以读取延迟非常低。已经明确归类 reram了。
8#
nighttob 发表于 2021-12-15 17:06 | 只看该作者
eikeime 发表于 2021-12-15 15:55
intel 自己都说过是阻性存储 所以读取延迟非常低。已经明确归类 reram了。

我火星了?有链接吗,得补补课
9#
eikeime 发表于 2021-12-15 23:07 | 只看该作者
nighttob 发表于 2021-12-15 17:06
我火星了?有链接吗,得补补课

wiki 上面是这么说的
https://www.eetimes.com/intel-micron-launch-bulk-switching-reram/
这是 wiki 引用的 采访。
10#
nighttob 发表于 2021-12-16 00:09 | 只看该作者
eikeime 发表于 2021-12-15 23:07
wiki 上面是这么说的
https://www.eetimes.com/intel-micron-launch-bulk-switching-reram/
这是 wiki 引 ...

我没有去看wiki,你链接原文里面也没有表明这是“Intel承认使用了ReRAM技术”,只是说“运作机制是改变材料的电阻”。提到ReRAM的也是原文编者说3DXP类似Crossbar公司做的ReRAM,后面还提到美光和大法一直在做一些ReRAM的工作。
原理上PCM和ReRAM都在材料电阻上做文章,所以原文这句话并不能定性3DXP用了ReRAM技术。
“The switching mechanism is via changes in resistance of the bulk material,” was all Intel would add in response to questions sent via email.
我个人还是愿意脑补为这是一种魔改的PCM,有"change"这个感觉,当然这也很牵强——凭什么ReRAM控制filament通断就不是change呢

对此我们都可以各自保留意见。
但还是之前的说法,只要Intel不承认,我们随便说啥都行。
11#
eikeime 发表于 2021-12-16 02:58 | 只看该作者
本帖最后由 eikeime 于 2021-12-16 03:01 编辑
nighttob 发表于 2021-12-16 00:09
我没有去看wiki,你链接原文里面也没有表明这是“Intel承认使用了ReRAM技术”,只是说“运作机制是改变材 ...

reram不是技术 只是 一种存储实现类型。intel 说过 xpoint 是基于 阻性阵列实现的,至少算是 类Reram 存储,但是没提过 是否pcm,一般都推测是 pcm。但是可以肯定不是FeRam,FeRam 按照 它 破坏式读取的 设计 重复读取的延迟 会相对大一些。
12#
nighttob 发表于 2021-12-16 08:57 | 只看该作者
eikeime 发表于 2021-12-16 02:58
reram不是技术 只是 一种存储实现类型。intel 说过 xpoint 是基于 阻性阵列实现的,至少算是 类Reram 存储 ...

PCM不算ReRAM的子集吧?我看到的资料都是并列这两种NVM存储器类型
二者都是阻性的,但实现方式不同
只能说Intel这说法巧妙
13#
kingyesx1  楼主| 发表于 2021-12-16 10:25 | 只看该作者
本帖最后由 kingyesx1 于 2021-12-17 13:10 编辑

我猜INTEL用的是FeRAM
PCM能不能成功大批量产一直是个迷。
INTEL没正面回应傲腾使用的技术,那么谁传的傲腾使得PCM?
外面传傲腾使用PCM对INTEL也有好处,就是能忽悠别的厂家加紧开发PCM大批量产,INTEL就独家优势了。时间越长,优势越大
至少
“将FeRAM作为eDRAM也非常有趣。FeRAM铁电存储器本身和NAND闪存一样属于非易失性存储,同时FeRAM还具备低延迟、高耐久和支持直接覆盖写入等特点,使得他可以作为SRAM的一个补充,提供更大缓存容量的同时还具备断电不丢数据的特殊能力。英特尔会如何利用FeRAM的这些特性还有待后续观察。”
这段话里都能说明INTEL对FERAM的实际应用已经有很深的了解。还有为什么不提PCM?这些都很值得商权
14#
haierccc 发表于 2021-12-16 22:25 | 只看该作者
不是说INTEL已经不再生产家用傲腾了么,怎么网上还是有售。
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