众人皆言摩尔定律已死，不过英特尔不这样认为。在最近的IEEE国际电子设备会议（IEDM）上，英特尔介绍了他们继续推动摩尔定律的创新和研究成果。内容主要分为三部分：基本缩放技术、引入“芯”能力、量子计算等前沿研究。
基本缩放技术讲述的是在制程微缩进入瓶颈后，持续增加单位芯片面积内晶体管数量的方法。其中包括：通过混合键合封装将互联密度提升10倍以上、通过RibbonFET新型结构将晶体管密度提高30%到50%、在芯片制造中引入单层二硫化钼将硅芯片连接层间距从15nm缩小至5nm。
引入“芯”能力部分主要介绍了英特尔的两项创新：利用氮化镓技术提高开关电源效率、引入FeRAM作为eDRAM使用。数码玩家都非常熟悉氮化镓充电头带来的技术革命，这次英特尔首次在300mm晶圆上实现了基于GaN的电源开关与基于硅的CMOS集成。
前段时间英特尔第13代酷睿就传出了集成DLVR数字线性稳压器的消息，虽然现在还无法确定这部分是否会用上氮化镓，但英特尔将电压控制模块重新植入到CPU内的趋势大体上已经确定。氮化镓技术可以降低供电损耗，提高电源转换效率。
将FeRAM作为eDRAM也非常有趣。FeRAM铁电存储器本身和NAND闪存一样属于非易失性存储，同时FeRAM还具备低延迟、高耐久和支持直接覆盖写入等特点，使得他可以作为SRAM的一个补充，提供更大缓存容量的同时还具备断电不丢数据的特殊能力。英特尔会如何利用FeRAM的这些特性还有待后续观察。
最后的第三部分介绍的是英特尔在量子运算芯片方面的研究进展。
以上这些都属于相对远期的内容。在下个月的CES国际消费电子展之前，英特尔还会在12月15日举办一场涵盖CES 2022主题的新闻发布会，届时我们应该会了解到更多近期将要发布的新硬件信息。
|
收藏
转播