眼下所有新生产的闪存都是基于3D堆叠技术的，那么如何判断哪种闪存更先进呢？过去，我们像数主板供电相数一样看闪存堆叠层数，虽然这种方法并不准确，但确实是非常直观的数据：譬如说，64层应该比32层/48层堆叠更好。
这一判断在过去通常是比较有准头的，但是并不总是正确，尤其是当前不同闪存制造商在同时代产品的具体堆叠层数上已经出现分歧。在已经宣布的3D堆叠技术中，英特尔的144层堆叠数值最高，其次是SK Hynix和国内的长江存储的128层堆叠，三星用模糊的1xx层堆叠来回避具体的层数，铠侠则选择了112层堆叠。
堆叠层数越高就一定越先进吗？铠侠内存业务部门总经理兼高级副总裁Scott Nelson就这个问题发表了自己的观点。Scott Nelson首先解释了闪存由2D平面走向3D堆叠的初衷：通过立体堆叠延续因制程微缩瓶颈而停滞的成本下降过程，换句话说就是想办法让闪存的容量不断增大、价格不断降低。
但3D闪存并不是堆的越高，成本就一定越低。Scott Nelson介绍了一些影响制造成本的因素，小编认为可以用盖大楼来比喻：多层建筑可以分摊土地成本。但是楼层达到一定高度后消防标准要求会提高，需要使用的建筑材料规格也会提高，盲目增加层数比高度的话成本收益就很难说了。
Scott Nelson还表示，3D闪存的迭代时间大约为1~1.5年，高于2D时代制程微缩发展的9个月~1年。在3D堆叠层数接近和达到100层之后，闪存制造商们已经开始遇到一些新的困难，是追求更高层数但面对更多良率挑战，还是提供一个相似性能但层数略有不同的节点？铠侠显然选择了后者，因为外界曾预测BiCS5将使用128层堆叠，而不是铠侠后来选择的112层。
Scott Nelson介绍了铠侠的努力方向：提升接口速度（满足PCIe 4.0固态硬盘需求）、改进随机读取性能、提升可靠性表现（更多的PE擦写次数，更长的数据保持时间，合理的ECC纠错需求）、更低的能耗表现（降低I/O电压，提高能源效率）、增加每单元位数（MLC->TLC->QLC）。
毫无疑问，未来我们会用上堆叠层数更高的闪存，但具体的堆叠层数可能会变得五花八门，而不再是2的N次幂那样整齐划一。影响3D闪存先进性的表现绝非堆叠层数一项，而具体到我们购买和使用的固态硬盘，则会有更多的影响因素掺杂其中。
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