本月初，东芝宣布了RD500/RC500 NVMe固态硬盘，标志着东芝96层堆叠BiCS4闪存在消费级SSD中进入实用状态。96层3D闪存方兴未艾，下一代的更先进技术已经开始浮现。
今天我们将要讨论的是超过100层堆叠的下一代3D闪存，包括三星120层级V-NAND V6、东芝128层BiCS5以及SK Hynix 128层的所谓“4D-NAND”。
东芝存储的BiCS5拥有96层的堆叠高度，它在结构上是由两个tier堆砌而来，每个tier都是一个48层堆叠的闪存阵列。
TLC类型的BiCS5可提供7.8Gb/mm2的存储密度，相比96层BiCS4提升32%。QLC类型的BiCS5暂时还没有确定，不过应该会比创造1.33Tb/die容量记录的BiCS4 QLC更上一层楼。
三星继续缺席本年度FMS闪存峰会，但也赶在同时宣布了V-NAND V6以示重视（同时也给自己省下一大笔赞助费）。虽然从存储密度来看，120层级别（实际可能在11X层）的它尚不及东芝96层产品容量密度大，但三星使用的是单体结构，整个大楼拔地而起，没有单独的分段，所以在制造成本上相对更有优势。当然，三星这样做也承受了很高的减薄压力：避免顶部与底部通孔直径变化过大引发可靠性问题。
此外，输掉容量优势的三星在性能方面找到了自己的闪光点：虽然东芝三星同属Toggle技术阵营，但三星的闪存接口带宽更高。这意味着三星拥有更低的读取延迟，同时还有机会在主控中使用更少的闪存通道数量，来达到与东芝相近的顺序读取速度。不过东芝的写入速度将在BiCS5迎来一次突破，并实现对三星的反超。
预计到明年下半年，世界主要闪存制造商都将进入到12X层级别的堆叠高度。顺带提一下国内的长江存储，它们的目标是在今年年底实现64层3D闪存的量产，并跳过96层工艺节点，直冲128层堆叠，争取与其他闪存原厂齐头并进。
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