意外断电导致变砖是固态硬盘最常见故障成因。为了保护DRAM缓存中的关键数据，企业级固态硬盘不得不引入复杂的保护电路，并牺牲一定性能来定时回写缓存内容。
近日存储解决方案供应商群联宣布和Everspin达成合作，将在企业级固态硬盘方案中应用后者提供的1Gb STT-MRAM磁阻式随机存取内存，在未来SSD中优化提升QoS及断电保护功能。
STT-MRAM是一种类似闪存的非易失性存储器，它的速度与延迟表现更接近于DRAM内存，但同时保有断电后数据不会遗失的特性，因而成为固态硬盘中DRAM缓存的理想替代者。
在传统固态硬盘中，固态硬盘需要为意外断电而设计复杂的DRAM中数据保护逻辑。利用大容量电容存储的能量，将断电时缓存中的数据安全写回闪存。
而MRAM可以部分地替代DRAM缓存，利用它接近内存的速度来安全储存FTL改变部分、元数据、写入缓存等需要保护的部分，而不必完整保护的完整FTL副本及读取缓存依旧通过传统DRAM芯片实现。
至于为何不用STT-DRAM完全替代DRAM，PCEVA小编认为当前还存在技术困难：单个STT-MRAM缓存的容量多在1Gb-2Gb之间，而固态硬盘DRAM缓存的容量大多与NAND闪存按照1比10的比例搭配，这样1TB容量的固态硬盘就有高达1GB的缓存需求，如果全部使用STT-MRAM存储，将会大幅提升制造成本。
群联和Everspin会在下月初的FMS闪存峰会上介绍更多关于STT-MRAM应用于固态硬盘写入缓存的技术信息。
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