在台积电的7nm+、6nm甚至5nm工艺之下，英特尔已经顾不上再宣传自家的14nm++相比其他工艺如何优秀。在近日的投资者日活动上，英特尔新任首席执行官司睿博（Bob Swan）向大家介绍了其制造能力方面的信息。
10nm一路跳票并最终在工艺制程落后于其他制造商，对于英特尔来说是个尴尬的话题。
司睿博介绍了其中的原因，主要在于2013年的计划“步子迈的太大”，想用四重曝光、COAG、Cobolt互联以及Foveros 3D堆叠等技术将晶体管密度一下提升到14nm的2.7倍。事实证明这个计划低估了工艺难度，导致原本预计在2016年实现的10nm工艺被迫一步步推迟到2019年。
停滞在14nm的这几年中，英特尔持续改进工艺细节，并获得了超过20%的性能提升，并且为未来的新节点做好了充分的准备。
今年6月会有10nm的IceLake上市，不过仅限笔记本移动平台。桌面平台请继续等10nm+……
尽管10nm才刚刚要起步，英特尔已将7nm工艺上马节点设定在2年后的2021年。英特尔在改进型7nm+上计划使用EUV光刻，应用下一代Foveros和EMIB封装技术，并实现相比10nm的双倍扩展。最终这个计划能够按期实现还是比较让人担心的。
除此之外，Foveros和EMIB封装技术还将应用在数据中心处理器以及GPU加速芯片当中。
玩家们一直念叨的英特尔独立显卡项目，Xe架构的GPU处理器将在2021年以7nm工艺制造出来，并面向数据中心、AI人工智能以及HPC高性能计算领域。桌面独立显卡应用尚无时间表。
英特尔目前还在10nm进度上苦追进度，小编觉得7nm的产品路线图我们还是等明年再看吧，PPT总是很善变的。AMD能否凭借7nm工艺在效率而不仅仅是核心数量上超越英特尔，这才是今年夏天的重磅看点。
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