中芯国际的新闻,按道理不存在翻译的问题,除非是中翻英、然后再翻回中文,这就很扯了。
但看楼主的描述,说明这篇新闻的作者、楼主本人双方都根本不了解存储技术的发展情况,或者是在有意误导大众。
看一下之前的各类介绍就能看出来,实际描述的是:
出样的40nm ReRAM性能相比NAND的读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍;同时,密度做到了DRAM的40倍。
也就是除了密度相比Dram提升40倍,其余的部分都是跟NAND比较出来的。
而实际上作为一个前瞻性的技术,它的性能也不要想的太过黑科技,理论性能和实际性能是两码事。
参考Intel的3D Xpoint:理论性能是NAND的1000倍,密度是DRAM的10倍;实际嘛……
当然最有意思的还是Crossbar(中芯国际的合作方)出的稿件:
Crossbar says its technology will deliver 20x faster write performance, 20x lower power consumption, and 10x the endurance at half the die size, compared to NAND.
几百上千倍的性能提升变成了20倍写入速度、20倍节能、10倍耐久度 |