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低延迟的革命 Intel 3D XPoint技术优势解读

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aixiangsui 发表于 2016-9-5 17:32 | 显示全部楼层
OstCollector 发表于 2016-9-5 17:21
替代DRAM?没有驱动?上层软件不做改动?

我没记错的话,这玩意儿有写入次数限制,到时候一个counter就能 ...

并没有写入次数限制。只有闪存有写入次数限制。
但是,这东西的DIMM也许永远出不来,虽然官方只是说延迟到18年,但理论上的1000倍提升实际上只有8倍提升,这么大的差距如果说全是主控的锅似乎也说不过去。

OstCollector 发表于 2016-9-5 17:35 | 显示全部楼层
aixiangsui 发表于 2016-9-5 17:32
并没有写入次数限制。只有闪存有写入次数限制。
但是,这东西的DIMM也许永远出不来,虽然官方只是说延迟 ...
3D XPoint technology has up to 1,000x the endurance of NAND

from http://www.intel.com/newsroom/ki ... en_NVM_FunFacts.pdf
OstCollector 发表于 2016-9-5 17:39 | 显示全部楼层
本帖最后由 OstCollector 于 2016-9-5 17:45 编辑
aixiangsui 发表于 2016-9-5 16:18
你完全没有搞懂产品的原理和意义。
运输一个字节的时间提升了10倍,运输1个G的时间也会提升十倍。根本不 ...

不一定

带宽的提高,和随机访问耗时的减小 并不一定有直接关系

http://bbs.pceva.com.cn/thread-73394-1-1.html

这里面的评测是个很好的例子


不过,堆规模总是比提高效率简单,所以带宽提高经常领先于延迟的降低

aixiangsui 发表于 2016-9-5 17:42 | 显示全部楼层
OstCollector 发表于 2016-9-5 17:35
from http://www.intel.com/newsroom/kits/nvm/3dxpoint/pdfs/NextGen_NVM_FunFacts.pdf

不要当真,那只是表示比NAND寿命长的意思。
aixiangsui 发表于 2016-9-5 17:43 | 显示全部楼层
OstCollector 发表于 2016-9-5 17:39
不一定

突发访问耗时的减小,和随机访问耗时的减小 并不一定有直接关系

你没弄明白我们争论的是啥吧。。。。八竿子打不着。

jerrytsao 发表于 2016-9-5 20:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 jerrytsao 于 2016-9-5 20:14 编辑
aixiangsui 发表于 2016-9-5 17:32
并没有写入次数限制。只有闪存有写入次数限制。
但是,这东西的DIMM也许永远出不来,虽然官方只是说延迟 ...

1000倍是指Cell Level速度, 做成SSD之后当然不可能这么快, 这只是Intel Optane和Micron QuantX的宣传手段之一. Endurance方面QuantX SSD只有5年25 DWPD, 不过厂商可以根据不同的应用来做调整所以3D XPoint DIMM会高很多, 可以参考隔壁Flash Memory Summit总结帖.

此外, 原帖里最后一张图也是3D XPoint SSD速度不"达标"的主要原因, SSD传输过程中一些必须的延迟是无法避免的.



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维他命W 发表于 2016-9-5 20:36 | 显示全部楼层
aixiangsui 发表于 2016-9-5 14:09
没有必要使用DIMM。
历来内存不是系统瓶颈,外存才是。

不太同意这个看法……

其实我倒是认为~ 内存延迟是目前CPU性能无法显著提升的主要瓶颈,理由是因为另一个矛盾的现象:CPU性能过剩。
(也许不是过剩,而是在等待~)

aixiangsui 发表于 2016-9-5 21:31 | 显示全部楼层
本帖最后由 aixiangsui 于 2016-9-5 21:45 编辑
维他命W 发表于 2016-9-5 20:36
不太同意这个看法……

其实我倒是认为~ 内存延迟是目前CPU性能无法显著提升的主要瓶颈,理由是因为另一 ...

好像没有看到说目前CPU性能怎么受限于内存吧。何况这个东西的延迟比内存还是大太多了,用上去适得其反。目前内存的延迟在十纳秒级,闪存的延迟在十微秒级,而这个东西的延迟在微秒级。

aixiangsui 发表于 2016-9-5 21:36 | 显示全部楼层
本帖最后由 aixiangsui 于 2016-9-5 21:38 编辑
jerrytsao 发表于 2016-9-5 20:02
1000倍是指Cell Level速度, 做成SSD之后当然不可能这么快, 这只是Intel Optane和Micron QuantX的宣传手段 ...

这个我前面也提到过,但差别过大,恐怕内有乾坤,所以不看好DIMM的前途。
至于寿命耐久方面,闪存有确切的写入寿命是因为它的结构使然。目前我没有看到关于xpoint上有相关类似结构或限制的材料,而前面那张给出的1000倍没有标明参考对象,slc或mlc,不同制程不同品牌,在写入寿命方面都有很大差别,而图上也没有确切说明是与写入次数相关,所以我觉得像是intel简单做了个老化实验的结果,而不是说xpoint有类似于闪存的写入寿命。如果有相关资料,欢迎给出。

jerrytsao 发表于 2016-9-5 22:46 | 显示全部楼层
本帖最后由 jerrytsao 于 2016-9-5 22:50 编辑
维他命W 发表于 2016-9-5 20:36
不太同意这个看法……

其实我倒是认为~ 内存延迟是目前CPU性能无法显著提升的主要瓶颈,理由是因为另一 ...

DRAM很明显不是瓶颈, 跟L3在差不多数量级, 今后NVRAM技术主要填补的就是红色这块瓶颈最大的区域, 最终形成SCM和Universal Memory.


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FlankerWang 发表于 2016-9-5 22:58 | 显示全部楼层
千代 发表于 2016-9-5 17:23
这东西绝对是闪存硬盘杀手,如果成本能足够低,现在的NAND厂商死得一个都不剩 ...

想多了,这个产品的出发点是性能而不是产能
OstCollector 发表于 2016-9-6 00:06 | 显示全部楼层
本帖最后由 OstCollector 于 2016-9-6 00:08 编辑
jerrytsao 发表于 2016-9-5 20:02
1000倍是指Cell Level速度, 做成SSD之后当然不可能这么快, 这只是Intel Optane和Micron QuantX的宣传手段 ...

这个是NVMe协议的,DIMM应该不走这个协议吧

jerrytsao 发表于 2016-9-6 00:48 | 显示全部楼层
本帖最后由 jerrytsao 于 2016-9-6 01:04 编辑
OstCollector 发表于 2016-9-6 00:06
这个是NVMe协议的,DIMM应该不走这个协议吧

DIMM当然跟这个无关, 只是用来说明SSD应用有很多的限制因素.

luckissy 发表于 2016-9-6 14:35 | 显示全部楼层
听说这货不是晶体管结构,是真的么?
fanli1230 发表于 2016-9-6 15:19 | 显示全部楼层
可以理解为我拷贝大量零散的数据速度大幅提升了么?
比如大量的图片和音乐数据,就算是现在的sata ssd,不到100K的文件,也比较难做到500个/S
Y6-0785 发表于 2016-9-6 15:24 | 显示全部楼层
支持入门级技术帖,看楼主以前没发过精华,PCEVA真是藏龙卧虎。
909648183 发表于 2016-9-6 19:24 | 显示全部楼层
延时低了,才好更进一步的叠加带宽
aixiangsui 发表于 2016-9-6 20:30 | 显示全部楼层
吹牛技术哪家强?看来intel的吹牛技术还是太低了,因为富士通已经吹嘘了一种更神的NRAM。
这种NRAM据说有很长的寿命和极快的读写速度,尤其是后者,富士通吹嘘说碳纳米管开关速度高达皮秒级。
cyqsimon 发表于 2016-9-8 15:05 | 显示全部楼层
十年后基础家用电脑可能就没有硬盘了 直接dimm上插optane 速度够快而且非易失
到时候nand ssd可能就和今天的机械硬盘地位一样了......
aixiangsui 发表于 2016-9-8 18:46 | 显示全部楼层
也许这种技术里只有粒子的迁移,就像锂离子电池里发生的一样。不然为什么那么信誓旦旦的说不是相变技术呢。
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