不再担心使用寿命，速度再提升1000倍，除了SSD，你还有其他选择么？
存储器是当今每一个计算机系统、存储方案和移动设备都使用的关键部件之一。目前，几乎所有产品都使用一种或组合使用若干种基于电荷存储的易失性存储器DRAM和SRAM，以及非易失性存储器NOR和NAND闪存。现有的这些存储器具有显著优势，导致其在过去30年占居市场主导地位。但因为系统始终在追求更快、更小、更可靠、更便宜，以在未来五到十年间进行有力竞争，所以上述存储器的不足，也给其未来蒙上阴影。
当NAND Flash和DRAM的发展开始精疲力竭时，磁性内存（MRAM）和相变内存（PRAM）的出现成为最完美的解决方案。
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2007年，磁记录产业巨头IBM公司和TDK公司合作开发新一代MRAM，使用了一种称为自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)的新型技术，利用放大了的隧道效应(tunnel effect)，使得磁致电阻的变化达到了1倍左右。适合许多主流应用，特别是作为存储技术，因为它既有DRAM和SRAM的高性能，又有闪存的低功耗和低成本，且其可采用10nm工艺制造;另外，还可沿用现有的CMOS制造技术和工艺。因它是非易失性的，所以当电源掉电或彻底关闭时，STT-MRAM将能无限期地保存数据。
（STT-RAM的基本原理）
Grandis 总裁暨执行长Farhad Tabrizi指出：“ STT-RAM 有庞大的市场潜力成为通用、可扩展的内存，它能在45纳米节点取代嵌入式 SRAM 以及闪存，在32纳米节点取代DRAM，最终成为NAND的替代品。”作为一种独立的存储器件，基于其更高速度、更低延迟、可扩展性和无限使用寿命等特性，STT-MRAM被用于取代SRAM、DRAM和NOR闪存。STT-MRAM不像DRAM那样需要功率刷新，且其读出过程是不破坏所存数据的。在系统级，这些特性提供了显著的功耗优势及更低延迟。这些都是现有存储器不可比拟的优势。
目前，STT-MRAM 是次世代内存中最实际的替代方案，95% 的现行 DRAM 产设备皆可用于制造 STT-MRAM。IBM 和三星之外，SK 海力士（SK Hynix）和东芝（Toshiba）也协力研发此一技术。
接下来我们聊PCM——相变内存。
（相变内存）
相变内存结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，被业界视为未来闪存和内存的替代品。根据PCM的技术特点，使用这种存储方案的设备将拥有更短的启动时间，更低的功耗也就相当于更长的续航以及更强的耐用性。由于PCM断电后不丢失数据的特性，实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的作用。
（相变内存工作原理）
功耗仅为闪存的一半。采用的生产工艺达到22nm，比当前最先进的45nm更领先，因此存储单元的尺寸更加细微。相变内存可以在不删除现有数据的情况下写入数据，这比如今的内存更为快捷。它的另外一个优点是，相变内存可以重复写入10万次以上，比闪存更加耐用；此外，相变内存还是比闪存更加有效和高效的非挥发性内存。读写速度可以达到闪存的1000倍。
在相变内存上，英特尔的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技术。等到完整的PCM技术成熟结合 DRAM 和 NAND Flash 优点，速度和耐用性将提高 1 千倍。
作为全球存储先驱的影驰科技一直在跟进这类技术的研发进度。期待能早日将全新技术运用到影驰SSD上，加速未来生活。日前，影驰全新的铁甲战将120已经搭载群联S11新系列主控开始服役。性能效率提升两倍，功耗降低30%。引领同容量级别SSD行业新标准。期待你能体验到不一样的将系列。
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