前言
随着三星E Die和B Die出货量加大,DDR4内存终于可以有机会发挥优势,不仅频率上了个台阶,时序也相比早期产品好了许多,各厂商也推出了许多发烧级的产品。尤其是B Die,单面8GB的内存在Skylake平台上可以发挥出当今最强的实力,做到了容量与性能兼顾。今天我们要评测的是影驰HOF DDR4-4000 8GBx2内存,默认频率直接标到了4000MHz,可见是一款面向超频玩家的发烧级产品。
基本规格:
内存类型:DDR4台式机内存
容量:8GBx2
速度:DDR4-4000 19-25-25-45(PC4-32000)
电压:1.4v
颗粒:Samsung K4A8G085WB (8Gb B die)
产品介绍
影驰HOF(Hall Of Fame,名人堂)系列产品坚持使用白色调风格,内存也不例外,之前我们有评测过影驰HOF DDR3-2400内存,这次的DDR4 HOF内存,包装盒与之前的DDR3相比虽然没有太大变化,但内存散热片也改成了白色。
背面是介绍HOF内存的特色,颗粒人工筛选,频率和散热都定位高端,为超频设计。下方可以从包装盒镂空处看到内存散热片上HOF的皇冠LOGO。
内包装可以看到HOF内存的设计理念,中间是内存本体,周围有泡沫缓冲垫保护,金手指也有塑料套保护防止氧化,细节还是做得比较到位的。
内存散热片为电泳工艺,银色部分线条和LOGO、文字采用拉丝工艺,整体高度比普条略高,需要注意14cm的大型风冷塔式散热器冲突。
PCB也是采用白色的,使用10层PCB设计。
标签上标明了产品规格与序列号。
顶部有白色的呼吸灯设计,通电后会发出白色柔光。
上机效果:
我们录了一段视频,给大家展示一下该内存呼吸灯效果:
Samsung K4A8G085WB颗粒简评
三星颗粒编码的第四第五位表示容量,最后一位表示颗粒的Revision,所以K4A8G085WB这个颗粒我们称之为8Gb B die,单颗容量为1GB。目前DDR4颗粒更新进度三星是最快的,B Die目前已经被许多超频模组厂所采用,并且表现都不错,而最新消息显示10nm级的C Die也已经进入量产阶段。Hynix方面8Gb的MFR颗粒仍处于sample阶段,但已经有模组厂开始在使用,接下来我们也将要评测,粗略跑了一下大约在3466 15-17-17的表现,3600不稳定。而Micron虽然已经有8Gb颗粒D9SRJ(MT40A1G8PM)量产,但只在普条上有看见,并且超频能力表现不佳,大约在2666 16-16-16就到头。
三星8Gb B die的特性是吃电压,而且TRCD/TRP的表现很好,TRFC也很好,在DDR4上这些因素都是除了CL值之外对性能影响很大的,B Die许多单面8GB内存型号在极限超频之后可以跑到DDR4-4000 C12-12-12甚至更高的表现,完全不亚于DDR3时代Elpida Hyper颗粒的表现,日常安全电压下也可以跑到DDR4-3866 C15的水平,并且TRFC可以控制在300以下。但这么多套内存跑下来,我们发现一些B Die在3866以上的频率还是会出问题,比如会出现重启点不亮、在64位Win10下极度不稳定等,只有在特定的主板例如ASUS M8I/M8G、ASRock Z170/Z170M OCF等主板上表现才比较好。所以现阶段对于采用三星B Die标称3866以上频率的内存,请优先选购以上主板。
测试平台及XMP信息
测试平台:
CPU:Intel Core i7-6700K
主板:ASRock Z170 OC Formula
内存:Galax HOF DDR4-4000 8GBx2
显卡:MSI GTX 760 Gaming mini-ITX
硬盘:OCZ TR150 480GB
散热器:Corsair H100i GTX
电源:Enermax Revolution 87+ 1000W
CPU-Z及MEM-Z识别内存XMP信息:可以看到开启XMP后在4000的频率下,时序还是非常松的,对于B Die来说,这还有很大的优化空间。同时请注意,开启XMP后,BIOS会自动把CPU VCCIO和VCCSA电压加到1.35V。
在加电压至1.8V后,我们最多跑到4000C13进系统,但仍然不能跑任何测试,4000C12试到2.05V都不能进系统。
最高过SuperPI 32M的频率及时序为4133C17,电压1.6V,由于CL值没有很低,SuperPI成绩并不算特别优秀。
超频及稳定性测试
最终通过调试,我们在1.45v下DDR4-4000 16-17-17-36 TRFC 280的设置跑过memtest测试,CPU VCCIO为1.25v,VCCSA为1.35v。
在室温26度裸机条件下,运行memtest时,内存温度不足40度,表现非常不错。
性能测试
由于这套内存开启XMP就直接是4000的频率了,但时序相当的loose,所以还有很大的优化空间。这次低频我们就不测了,直接对比2133和开XMP然后继续优化时序、超频的效能。
AIDA64内存带宽,在开启XMP后读取也只是提升到47GB/s左右,和3200频率手动优化的差不多。在稍微提高0.05V电压,保持4000频率下,经过我们进一步优化后读取达到56GB/s,比XMP提升近20%,写入也冲破60GB/s,复制因为是单面颗粒会稍微低点。
延迟方面,默认的2133为54.5ns,开启XMP后下降至44.1ns,B Die在手动优化后很轻松就能下到40ns以下。
3DMark 11物理分,开启XMP后并没有比默认提高多少,估计是延迟太大导致性能提升不足,在手动优化后立马提升18%。
WinRAR解压缩性能测试,情况也很类似,虽然开启XMP频率到4000比默认翻了近一倍,但性能只提升了20%,手动优化后虽然频率没有提升,但得益于延迟降低,性能进一步提升了23%。
SuperPI 32M,开启XMP后比默认快了12s,手动优化后再快13s。
总结
影驰HOF DDR4-4000 8GB*2内存采用三星B Die,XMP频率标得非常高,也算是给发烧玩家一个轻松超频到4000频率的设定,但官方采取了比较求稳的保守设定,所以时序方面还有很大优化空间,在稍微加0.05v电压下,就可以跑到4000C16的状态,性能也比XMP的4000C19有巨大提升。
从外观上看,这套内存采用白色散热片加白色呼吸灯的设计,十足的HOF风格,也算是比较百搭的颜色,在黑白色风格的主板例如ASUS Sabertooth Mark S、MSI Krait Gaming和XPower钛金系列主板上都很搭配。
这套内存目前影驰官方还未给出报价。但考虑到目前用户对内存容量的需求日益增大,希望影驰能在使用三星B Die的基础上推出一些比较亲民、频率稍低的型号,例如在3000-3200这段的8GB*2套装,应该是未来DDR4的甜点产品。
PCEVA综合评价:定位场景娱乐。
基础性能:标注4000频率,发烧级的高度,但时序比较松,导致性能并未完全发挥,扣1分,4分。
做工用料:包装大气,散热性能良好,10层PCB,5分。
超频潜力:最高能跑测试的频率仅能提升10%以下,频率不变时序优化后性能提升幅度较大,2分。
发热量:运行memtest温度不足40度,5分。
兼容性:散热片高度有可能会挡一些14cm的大型散热器,且跑XMP 4000频率需要特定的主板型号,扣2分,得3分。
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