最近玩内存蛮火的。
我也跟跟潮流,入了一些不同的条子玩玩。
有力晶的,有尔必达E的。
由于手上的力晶体制不太理想,
拿另外的来讲讲吧。
芝奇12800 CL9 GBRL 2GX2红钢牙。
2011年1月出厂,按体制看,应为尔必达E颗粒。
只要努力学习完本版的置顶贴和精华贴
这个条子在AMD(DENEB吧,thuban更简单了)平台
上1800 999应该还是比较轻松的。(体制偏中高的CPU)
但是比较容易遭遇不稳定,
或者过不了长时间的MT或者拷机。
这里主要就一点细节问题讲讲。
这个颗粒特性是:
不太受电压影响,一般1.65V即可发挥最高能力。
也不太受小参控制,一般9-9-9-26即可超到最高频率。
本人平台
220 CACDC C3开核
ASUS M4A79T-DELUXE
ZOTAC GT240毁灭
GT AL450
CPU放档270*13,
NB=HT=270*10=2700
CPU电压1.315V
VDDA电压2.60V
IMC电压1.25V
IMC电压并非越高越好,需要一个适合的值,具体需要各位自己摸索
切记,IMC电压并非加得越高越好!!!
DRAM电压1.648V
其他电压均为最小值
内存1800小参999-24-6-33-1T,DUAL,UNGANDED
此时可以迅速进入系统
(当超到高频,但进系统明显感觉变慢,就基本可以断定系统处于不稳定状态,可以直接不进行测试重新调参了。)
跑MT,
但到280%左右时(5窗口MT)
发生定屏死机。
这点让我比较奇怪。
定屏死机的因素很多,但可以断定是OC造成的。
而CPU的电压以及频率,NB,HT频率都已经经过了拷机测试(超频要点:先测试CPU,再测试NB,HT,然后内存,最后取平台均衡值)
那么应该还是内存造成的。
然后修改内存设置
内存999-24-6-33-2T,DUAL,UNGANDED
再跑MT。出现内存错误。再改
内存999-24-6-33-2T,DUAL,GANDED
通过了MT 300+%
断定此参数内存可以稳定运行
但是感觉性能并不太理想,继续改
999-28-6-40-1T,DUAL,GANGED
通过MT 500%测试。
搞定!
以上是一点测试方法与小技巧。希望能给A台玩家一点思路。 |