在过去的2015年，东芝与美光的TLC闪存分别在PHISON和Slicon Motion主控的支持下成功进入民用入门级SSD市场。在高端市场上Intel与三星角力，争先发布首款消费级NVMe协议固态硬盘产品。而在接下来的2016年中TLC闪存将在入门级产品普及，随着一系列的改良更可能步入主流级市场，而大家期待的3D NAND全面过渡也将在今年晚些时候真正到来。作为高端SSD的特征之一，NVMe协议将在2016年民用旗舰SSD产品线中大展拳脚，充分释放闪存存储的性能。
根据已经了解到的信息来说，在2016年我们将见到以下一些民用SSD新品：
入门与主流级：
浦科特 M7V - 东芝15nm TLC 和 Marvell 88SS1074 （代号Dean - 28nm工艺），4通道主控，支持LDPC
浦科特M7V会有M.2 2280和2.5英寸SATA接口2种规格，由于Marvell Dean主控只支持4通道，因此这款SSD的最大容量被限制在512GB，不过主控支持LDPC纠错，相信对耐久度会有较好的保障，目前产品正在进入最后的测试阶段，如果一切顺利预计Q2就能和大家见面了，期待PCEVA的后续评测吧。
OCZ Trion 150 - 东芝15nm TLC 和 TC58NC1000GSB主控（PS3110打磨） + 固件客制改良
Trion 150相比Trion 100绝非仅仅是更换闪存，Trion 150在固件上同样有不少改进，这一进步虽然并没有在标称参数中体现出来，但特定条件下的实际体验有望得到提升。
相比上代OCZ Trion 100，OCZ这个客制版固件不但增加了原SLC Cache模式的容量，而且加入了DDW模式（Direct-to-Die Write）的支持，使得缓存模式过后的持续写入性能比上代翻倍，综合性能大幅度提高。本站近日就会收到样品，详细评测敬请期待。
另：随着东芝闪存A19nm TLC向15nm TLC过渡，东芝Q300也悄悄的更新了型号，新版15nm TLC的型号为Q300.（在原有Q300型号的后方加了一个点），搭配SFM12.2公版固件。Q300.是零售版名称，OEM版可能就是前几天发布的SG5系列。
金士顿UV300 - 自封东芝A19nm TLC 和 PS3110-S10-X主控
在国外网站有评测的金士顿的UV300系列貌似在国内市场并没找到踪迹，或许金士顿认为国内市场对TLC闪存的抵触情绪更大，因此现在依然是以15nm MLC搭配SandForce主控的V300作为主打产品。因为东芝颗粒过渡的关系，Q2后UV300也会转用15nm TLC，型号可能改名UV400.
闪迪X400已经发布，相信至尊高速3代也不远了，听说加入了LDPC的支持，我预计采用的是SM2256方案和15nm TLC。
三星今年入门级主打依旧是去年末推出的750Evo系列，这款SSD的闪存为16nm TLC，原本应该是运用在移动设备上的，主控为MGX和256MB DDR3L堆叠的。另据三星透露，MGX主控支持LDPC纠错技术，可以通过硬解码和软解码恢复读取错误，而之前"跌速门"的840Evo的MEX主控只支持BCH纠错。
从上面的内容可知今年各大厂商的TLC产品线会遍地开花，一些去年已经有的产品方案则会进化成更成熟的固件。而主流的MLC产线基本是保持现状或容量增大等。如这几天大家看到的浦科特M6S Plus新闻，相比上一代主要区别就是颗粒从A19nm过渡到15nm MLC，三星会出4TB的850 Evo和850 Pro等。
高端旗舰级：
浦科特M8Pe - 东芝15nm MLC 和 Marvell 88SS1094 （代号Elodra - 28nm工艺3核心CPU），8通道主控，PCIe 3.0 4x，支持LDPC和NVMe。
这款浦科特的新旗舰将于Q2发布，容量有128/256和1TB 3种，持续读取2.2GB/s，写入1.5GB/s 终于有那么点意思了。
Intel 600P - Intel 20nm MLC ？ 和 SMI 2260（可能会打磨，Intel买断），8通道，40nm工艺，PCIe 3.0 4x，支持LDPC和NVMe
众所周知Intel 750的主控是沿用自企业级的产线，由于18根通道造成主控面积太大，在M.2规格上装不下。重新为消费级市场开发一款阉割通道数的主控不太现实，那不如直接买断吧，这下M.2规格的主控来了，虽说这款SSD不是纯血，但是有Intel做品质验证还是很放心的，况且性能依旧不赖的哦，初步消息貌似读取2.1GB/s，写入1.2GB/s的样子。
以上就是我们依据已知消息整理而来的2016年民用SSD产品前瞻。对于新产品新技术，我们既不应过分乐观的“只有等XX出来了再买”，也不用对新制程过度悲观忧虑，SSD作为消费品就是应该随用随买，既不适合长远投资也不适合收藏传承。TLC与3D制程都是为了降低闪存成本为大家带来更高的容量价格比，LDPC纠错满足新制程闪存的应用需求，而NVMe协议则将彻底释放闪存的能量为SSD注入更多活力。
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