本帖最后由 overthink 于 2016-1-19 11:30 编辑
前一段时间，由于家里的ESXi服务器的存储不太够用，就想添加一块SSD作为数据存储使用，正好浴大测了论坛定制的前身S920，eMLC加完整的掉电保护看起来比较适合服务器使用，所以在论坛定制开售当天入手一块512G。
后来的事大家都知道了，由于1T爆出固件BUG，在师太和浴室的努力下，建兴给了稳定的企业级固件，并给了一定的补偿。512G和256G也有企业级固件更新，在此感谢PCEVA，感谢师太，感谢浴室。
由于在等新固件，这次测试拖后了不少时间，期间，群里灰机壕要出Intel 730，于是收一块到囊中，来和论坛定制作对比，同时，论坛定制的新旧固件也有测试。
定制T9 512开箱：
红色包装很喜庆
质保三年变五年了，感谢PCEVA，感谢师太，感谢浴室。
打开盒子就能看到盘体
PCEVA定制版
盘体和说明书
数据及电源接口
有易碎帖，直接拆了，反正以后要换壳
十字口的螺丝刀就搞定了
电容很壮观，SSD的PCB是通过四个螺丝上到壳子上的
缓存，上面是512MB的，下面是256MB，总共768MB
再拆下四个固定螺丝，这是背壳，主控部分有散热贴
主控及颗粒，颗粒编号全部一样，相比T9普通版本的8个颗粒，编号各个不同要厚道好的多，在颗粒一致性上不会有大问题。
最后上两张定制T9和730的合照
在看浴大的评测时就知道，开成400G性能会更好，所以买512G就没打算当512G用，到手就开成400G了。同时也把730开成400G作对比。
原始固件SMART
新固件SMART
刷新固件后变为T9 400，SMART多了E5，但是SMART数据没有清空。
Intel730 也OP到400G
默认基准测试
ASSSD
得益于Intel730对主控及颗粒的超频，在ASSSD测试中爆发力不错，T9 512比730略差，固件刷到T9 400，成绩又进一步降低，应该是新固件开启了eMLC的某些特性才有这种成绩出现。
CDM 测试
成绩和ASSSD差不多，还是Intel 730最好
TxBENCH
Anvil's Storage Utilities
PCMark7测试
到了PCMark7,Intel 730 OP 400和T9 512 OP 400的差距就不大了，T9 400的成绩还是低一点。
PCMark8测试
PCMark8成绩，Intel730继续领先，不过T9 400的成绩比T9 512 OP 400要好了。
基准测试完毕，下面使用IOMeter来点高级测试。
128K QD32持续写入成绩
Intel填盘速度最快，T9 512 OP 400次之，T9 400最慢，不过就一致性来说，T9 400最好，基本无波动。
128K QD32持续写入响应时间
Intel在8到9ms之间，T9 512 OP 400 在9到10ms之间，T9 400在11到12ms之间，Intel响应最快，T9 400 QoS表现最好，基本无波动。
4KB QD32 随机写入离散度测试
T9 512 OP 400是第二次跑的数据，第一次跑的时候忘记勾选IOMeter记录了，结果跑完了没有保存数据 ，图省事没有做SE，直接全盘快速格式化，发送TRIM指令后，等了半小时，用128K QD32持续填盘，之后才跑的，处理数据时发现图表很怪异。咨询过浴室，浴室说大概的原因是：老固件垃圾回收和trim有问题，所以不做SE永远是脏盘。
由于已经刷了新固件，没法再返回老固件测试了。Intel 730 OP 400最后稳定的IOPs是三万左右，T9 400最后稳定的IOPs是2万左右，T9 512 OP 400脏盘最后稳定IOPs是一万左右。
参考灰机跑T9 512 OP 400的成绩，和T9 400在伯仲之间。
http://bbs.pceva.com.cn/thread-125817-1-1.html
4KB QD32 随机写入响应时间
在OP区域，响应都很快，0.5ms左右，OP区域填满后，响应时间都有一定的增加，Intel730最后的响应时间是1ms左右，T9 400的响应时间是1.5ms左右。 T9 512 OP 400由于没有作SE的原因，响应时间波动比较大。
QD深度对随机4KB/8KB/16KB/32KB/64KB/128KB/256KB/1MB读写性能测试
Intel730读取趋势变化
在读取上，Intel 730基本优化到QD16，从QD16到QD32提升不大，得益于颗粒及主控超频，最高速度跑到535+
Intel730写入趋势变化
在写入上，Intel 730优化到QD4，最高写入速度480M左右
T9 512 OP 400读取趋势变化
T9 512 OP 400读取随QD的增加均有提升，不过1M块的Read成绩比较奇怪。貌似固件没有对1M块进行优化。从4K到256K的成绩都比较正常。
T9 512 OP 400写入趋势变化
T9 512 OP 400写入，随QD的增加均有提升，这次1M块正常了。
T9 400 QD 读取趋势变化
刷新固件后T9 400的1M块读取改善了好多，读取上优化到QD16，再增加QD提升不大。
T9 400 QD 写入趋势变化
随着QD从1增加到32，从4K到64K写入速度都有一定的提升。128K到1M块，由于单QD的写入就达到330M多了，再提升QD增加不大。
总结：
Intel 730身有企业级血统，虽说砍了一部分企业级特性，但是得益于主控和颗粒的官方超频，性能表现很抢眼。定制T9原始固件，爆发力有一定的保留，OP到400G后，离散度的表现不错。定制T9 400新固件，具有完全的掉电保护，增加了企业级特性，砍掉了爆发力，提高了QoS，增加了稳定性，适合企业级应用，拿来做家用服务器存储还是不错的。我觉得对存储来说，稳定性比性能更加重要，从测试的过程来看，定制T9的新固件表现不错，稳定性表现较原始固件有不小的提升。实际应用中表现也很平稳。
定制T9的使用建议：
1、 如果对容量有迫切需求的，直接使用出厂固件就可以了。正常使用没问题。
2、 对容量有点需求，但是不那么强烈的，可以使用HDAT2设置一下三级OP，容量放到480G就好，离散度会比512G好不少，爆发性能也有保留。
3、 对容量要求不大，希望用在服务器上，或者想体验企业级固件，想要更好的稳定性的，可以升级新固件，缺点就是爆发性能变差，可用空间变小。
PS：有关二级OP和自己使用HDAT2作的三级OP的不同，引用一下浴室的解释
“HPA分出的是3层OP，那部分可以稀释BLOCK里的有效PAGE数量，达到稳定态提速的目的。而固件里的是2层OP，那部分可以用来作为优化的整体方案。很多技术，都是基于OP来优化的”
最后，鱼和熊掌，怎么选择，根据自己的需求来吧。
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730都涨价到300刀了
730果然还是好东西啊
