产品介绍
DDR4目前正从初期阶段走出来，进入快速发展阶段，频率越来越高，容量也逐渐迈向单条16GB（单颗1GB容量）。作为DDR4内存颗粒生产厂商领头羊的Hynix和Samsung，都推出了新的颗粒，今天我们要评测的芝奇F4-3200C14D-16GTZ，正是使用了Samsung单颗1GB的颗粒，它是属于Trident Z系列中的主流定位，DDR4-3200应该也会是今后一段时间内主流的速度。由于Skylake平台双面内存超频表现不好，我们特意要来单面8GB容量的内存，双通道即是16GB。
基本规格：
内存类型：DDR4台式机内存
容量：8GBx2
速度：DDR4-3200 14-14-14-34（PC4-25600）
电压：1.35v
颗粒：Samsung K4A8G085WB （8Gb B die）
Trident Z是芝奇DDR4目前主打性能级的产品线，并且芝奇的内存都提供终身质保。从标签上的SN可以看出生产日期是15年52周（也就是上礼拜的货，从台湾直接发到我手里本周一就拿到了，真快），后边的A500可从芝奇颗粒识别法判断为三星颗粒。
芝奇Trident Z内存马甲表面采用拉丝铝工艺，正面为银灰色，背面为黑色，顶部红条中有G.SKILL的LOGO，整体外观很大气。
标签上标注了XMP规格，DDR4-3200 14-14-14-34 1.35v。
单面的颗粒，在Skylake平台上更容易超频。
10层PCB设计，也算是DDR4高频内存的标配了。
PCB另一侧印有8G 3200的字样。
Samsung K4A8G085WB颗粒简评
三星颗粒编码的第四第五位表示容量，最后一位表示颗粒的Revision，所以这个颗粒我们称之为8Gb B die，单颗容量为1GB。目前DDR4颗粒更新进度三星是最快的，表现也是最好的，Hynix次之，虽然在官网查到有8Gb的颗粒出现，但仍处于sample阶段，还未见有成品内存推出，而Micron虽然已经有8Gb颗粒D9SRJ（MT40A1G8PM）量产，但现有4Gb颗粒在Skylake平台上表现均不佳，估计超频内存模组厂商也不敢轻易购入，只在普条上有看见。
三星8Gb B die的特性是吃电压，而且TRCD/TRP的表现很好，TRFC也很好，在DDR4上这些因素都是除了CL值之外对性能影响很大的，这个颗粒在极限超频之后可以跑到DDR4-4000 C12的表现，完全不亚于DDR3时代Elpida Hyper颗粒的表现，日常安全电压下也可以跑到DDR4-3866 C15的水平，并且TRFC可以控制在300以下，完全超越8Gb颗粒应有的表现。可以说除了频宽之外在延迟上也完胜DDR3，更快的内存可以让CPU性能更上一个台阶。目前也有在普条上出现，想捡漏的不妨试试。
测试平台及XMP时序点评
测试平台：
CPU：Intel Core i7-6700K
主板：GIGABYTE Z170X-Gaming G1
内存：G.Skill F4-3200C14D-16GTZ
显卡：MSI GTX 770 GAMING
硬盘：Plextor PX-256M5Pro
电源：Enermax Revolution 85+ 1050W
散热器：SOPLAY SP-H2407
CPU-Z识别的内存XMP信息：
MEM-Z识别的XMP信息：可以看到TRFC还是很保守的，其它倒是优化得比较到位。
超频及稳定性测试
三星8Gb B die超频表现让人满意，在经过调试之后最终可以在DDR4-3866 15-16-16通过memtest测试，内存电压为1.49V。由于内存频率已经比较高，我们把CPU的VCCIO、VCCSA电压都加到1.3V。
在室温20度下，这套内存在裸机无风道条件下跑memtest满载温度不超过40度，表现很不错。
效能测试
效能测试环节中我们取SPD默认DDR4-2133C15、XMP设置DDR4-3200C14，以及我们自己手动优化的几组超频设置做对比。
首先看AIDA64内存带宽测试，由于是单面颗粒，内存复制会比较低一点，我们可以看到XMP优化的内存成绩已经很不错了，读写都突破45000MB/s，但我们继续超频到DDR4-3866时，成绩还有同步提升，最终读写成绩都超过55000MB/s。
内存延迟测试，XMP已经接近40ns，随便手动优化一下就可以到40以下，最终超到3866 15-14-14时只有35.5ns，基本不输给DDR3最佳的延迟表现。
在看3DMark 11物理分，在CPU Core/Ring固定4.5G的情况下，DDR4-2133下分数只有11688，开启XMP后提升至1.3万，说明内存性能对3DMark 11物理分影响还是比较大的，最终我们超至3866 15-14-14时可达到14264分，比简单开启XMP再提升近10%。
WINRAR，对内存带宽和延迟均敏感，可以看到开启XMP直接提升20%的效能，进一步超频后也是还有10%左右的提升。但由于延迟更敏感，3866 15-16-16比3600 14-14-14的成绩还稍逊一些。
SuperPI32M测试，由于Skylake整数部分相比Haswell几乎是0提升，所以这个测试特别能看出内存从DDR3进步到DDR4，内存频宽和延迟的变化对整数计算的性能影响。我们认为Haswell平台双4.5G，SuperPI32M在没有做过任何优化的Win7及以上64位系统跑到6分53秒是及格线，上次我们测试金士顿Savage内存Hynix AFR颗粒跑到DDR4-3200C12才能勉强跑进6分52秒，这次跑到3200C13并没有能跑进6分53秒，所以可以说DDR4内存在3600之后的频率加上过得去的延迟，才能发挥其优势。
总结
芝奇目前很多内存都采用三星颗粒，而三星颗粒目前在DDR4产品线中表现最好，4Gb的E Die，8Gb的B die，单面内存都是有跑DDR4-4000+实力的颗粒，对于8Gb B die来说，容量和性能都可以兼顾，相对E die和Hynix AFR来讲毫无悬念是更好的选择。在这些颗粒问世初期，筛选还没有很充分的情况下，我们认为芝奇新推出的许多DDR4内存型号都是有相当的超频潜力的，当然越高端的型号即使是同一颗粒超频应该也会更好一些。
对于这套F4-3200C14D-16GTZ型号来说，它属于主流级别的速度标称，并且拥有16GB的内存容量套装，再加上一定的可玩性，手动优化超频之后，无论速度上还是容量上都能满足一般用户的需求。在我们手上这套内存跑出DDR4-3866C15的成绩可以通过memtest测试，离DDR4-4000大关只差临门一脚，之后我们会再换主板尝试更高的频率。目前这款内存在国内还未有报价，但参考目前市面上芝奇DDR4-3200这段规格产品的报价，加上这套属于Trident Z性能系列，以及人民币贬值的因素，相信报价不会低于1500元。
PCEVA综合评价：新颗粒爆发，高性能大容量的DDR4内存问世。
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用来跑分真是爽翻了
