在XS上发现罗马尼亚超频玩家写了一篇Skylake内存超频心得分享,很有参考价值,我转载翻译一下,供大家参考。由于DDR4内存的调节需要考虑到更多小参,然而目前主板内建的Profile对内存时序的优化都很成问题,所以以下调试心得,有助于大家在跑测试中榨取内存的极致性能。不过请注意,这篇文章里作者超内存的手法都是大幅加压换取低CL值,Skylake平台超内存加压太多不仅可能会烧内存,还会烧处理器,所以怕烧处理器的请勿轻易尝试。另外如果你觉得超内存折腾,跑32M蛋疼,电脑只是拿来用的,那也可以不用费时间看本文。
他所使用的内存:
Kingston DDR4 2666C15 Fury Hynix MFR颗粒
G-Skill Ripjaws DDR4 3000C15 Samsung Rev.D颗粒
Kingston DDR4 3466C16 HyperX Hynix AFR颗粒(ES)
G-Skill Trident-Z DDR4 4000 Samsung Rev.E颗粒
主板:Maximus VIII Gene & Impact,同时使用Maximus VIII Extreme验证Gene的测试结果;
CPU:6700K,正式版,常温水冷;
测试方法:以4GHz的频率运行3次SuperPI 32M取平均,系统Windows XP,没有专门针对SuperPI做优化。
问题一:无法在Maximus的四插槽主板上跑3600+的频率。
使用三星Rev.D、E颗粒在第三时序Auto时碰到这个问题很正常,主要原因是TRDWR_sg、TRDWR_dg、TRDWR_dr、TRDWR_dd这四个时序。如果跑到3600+的频率,这四个时序要设成与CL值相同,否则debug会卡55。这个问题在M8I(只有2Dimm)上不会发生,第三时序Auto就可以4133直开。
问题二:debug卡55、41、78、3E。
经常碰到的问题。通常:
3E代表tWR、tRTP太低;
78代表TRCD/TRP太紧;
41代表第三时序太紧或者Hynix MFR颗粒电压加太高;
55代表的就多了,例如电压不够,TRFC太紧,第三时序不对等等。
问题三:主流超频颗粒的特性。
Hynix MFR在X99时代最多,空冷下表现最差,频率上不高,延迟下不去,又不吃电压。比如1.58v可以走3200 12-15-15,在1.54v就自检不过卡55,1.62v电压过高卡41开不了机,很是蛋疼。需要挑吃电压的条,体质好的可以在1.6v以下走3200 12-15-15,加压后可跑3333C12以上。
Hynix AFR是MFR的进化版,解决了MFR颗粒的许多问题,最直接的表现就是吃电压,在X99和Z170均有比较好的表现,这个颗粒马上会在接下来的Kingston HyperX上出现,其他厂商也会迅速跟进。
参考时序:
3600 12-17-17 1.65v
3733 12-18-18 1.75v
3866 13-18-18 1.85v
4000 13-19-19 1.94v
Samsung Rev.D K4A4G085WD
三星的首款DDR4颗粒,吃电压,被芝奇、海盗船之类厂商许多型号采用,例如X99时代的G.Skill Ripjaws 3000,3200、Z170时代早期Ripjaws-V 3466、3600和Trident-z以及Corsair的Ver4.x产品线等等。空冷可以吃电压到2-2.1v都有线性提升,比较渣的可以跑3733 15-19-19 1.8v,好的甚至可以跑13-18-18。
Samsung Rev.E K4A4G085WE
三星第二版颗粒,提升比较大,同样吃电压,在DDR4 4200+的频率下可以吃到2.1v,TRCD时序可以放得更低,总体来看是个很不错的颗粒。
参考时序:
3600 11-17-17 1.9v或更低
3866 11-19-19 2.05v或更低
4000 12-20-20 2v或更低
目前芝奇的Trident-Z和15年38周后的Ripjaws-V,Team特挑的DDR4-3866C18超频内存和海盗船最新的4000C19采用这个颗粒。比较好的颗粒可以跑低TRCD,3600时跑17,4000时跑19,频率很好上,而且二三时序可以设得很低,好的内存在4200的频率下TRFC可以跑到280。
问题四:插双条和四条
毫无疑问插满四条在同样频率/时序下总是比两条快,但是插满四条对IMC的压力更大,而且有些时候要松一些时序,插满四条时要注意TWRWR_dd要设为8否则开不了机。
在SuperPI 32M测试中,相同的CPU频率、内存频率、二三时序下,插满四条要比两条快差不多1秒。
另外注意,如果在插满四条时RTL/IOL设置Auto会非常松,影响性能,因为Maximus主板会自动设置IO_Latency_offset为15,而插两条默认是设为21,所以只要手动把它们改为21即可。
问题五:不正常的RTL时序
有些时候内存自检会自动给你设置一个奇怪的RTL/IOL时序,例如60/54/13/7之类的,而正常应该是大概53/54/6/7的样子,这对SuperPI 32M成绩会有影响,所以建议寻找手动最合适的RTL/IOL值并在BIOS里锁定它,不要Auto,这样就不会影响效能。
案例:三星Rev.D跑3733时正常的RTL和不正常的RTL对比:
问题六:TWRWR_DR和TWRWR_DD时序
通常时序我们都是建议设置越低越好,但是TWRWR_DR和TWRWR_DD这两个不一定。作者测试了MFR、AFR和三星E,这两个时序都是设为8好过4。
AFR 3866 13-18-18 TWRWR_DR TWRWR_DD 8 8
TWRWR_DR TWRWR_DD 4 4,慢了0.4秒
三星Rev.E 4133 12-20-20 TWRWR_DR TWRWR_DD 8 8
TWRWR_DR TWRWR_DD 4 4,慢了0.3秒
Hynix MFR DDR4-3200 12-15-15 TWRWR_DR TWRWR_DD 9 9
TWRWR_DR TWRWR_DD 4 4,慢1秒多。
问题七:TWRRD_DR和TWRRD_DD
作者发现这个问题是在尝试3466C12到C11时跑出来的分更烂,主板Auto设置为6-6,手动设为5-5后性能表现正常。其实还可以设为4-4或者3-3,在Hynix AFR颗粒上性能表现和5-5差不多,在三星Rev.E上表现更差,而且稳定性不如5-5来得好,所以这两个时序建议设为5-5。
案例一:Hynix AFR DDR4 3466 C12-17-17 TWRRD_DR TWRRD_DD 5-5
3466C11 TWRRD_DR TWRRD_DD 6 6,反而慢了0.23秒。
3466C11 TWRRD_DR TWRRD_DD 5 5,比刚才又快0.7秒。
案例二:三星Rev.E 4133 12-20-20 TWRRD_DR TWRRD_DD 4 4
TWRRD_DR TWRRD_DD 5 5,快0.15秒。
问题八:TWRRD_SG和TWRRD_DG
总的来说这两个时序随着CL值降低而收紧,并且和TWTR_L和TWTR_S相关。如果在BIOS里只是设置低TWTR_L和S时序,甚至低到1,都没有效果,如果同步降低TWRRD_SG和TWRRD_DG才会起作用。
案例:在BIOS里设置TWTR_L和TWTR_S为6,系统中看到的为7。
把TWRRD_DG设低到18,TWTR_S也同步降到3,SuperPI 32M快了0.25秒。
另外TWTR(不带L和S)的可以设到1,性能会有小幅提升。
问题九:TRDRD_DR和TRDRD_DD
这两个时序在不同颗粒上测试得到不同表现。通过对Hynix和三星颗粒的测试,作者发现Hynix颗粒在这两个时序都设为0时32M有近半秒的提升,而三星大概在设为5和6时表现最好。
案例一:三星Rev.D 3733 14-19-19
TRDRD_DR TRDRD_DD 0 0
TRDRD_DR TRDRD_DD 4 5,快0.17秒
TRDRD_DR TRDRD_DD 5 6,再快0.156秒
案例二:Hynix AFR 3866 13-18-18
TRDRD_DR 5 TRDRD_DD 6
TRDRD_DR TRDRD_DD 0 0 快0.2秒
问题十:合适的第二时序
所有颗粒把第二时序设低都能提升性能,这样可以比Auto提升不少性能,所以不用手下留情。
TRFC:三星Rev.E在4200+的频率都可以跑270,Hynix AFR在3800+的频率则需要340,三星Rev.D同样也要比Rev.E高一点。对性能提升没有太大帮助,但从心态上来讲肯定是越低越好。
TREFI:设置到最大值(65535)可稍微提升性能且不影响稳定性。
TRTP、TWR:这两个时序是绑定的,不能单独设定,所以可以设到最低的6和12(软件读出13),会有一定的性能提升。
TFAW:通常设到16可以提升一定的性能,设更低没发现有太大帮助,需要自行尝试。
TRRD_L/S:通常设为7和5,低频的时候可以设更低,也可以在走低CL时(例如C11)通过放低TRDWR_SG和TRDWR_DG来调低。
TWTR_L/S:之前已经讲过,和TWRRD_SG、TWRRD_DG挂钩,Hynix颗粒低于6可能会点不亮,三星可以设到1但是性能不见提升,除非降低TWRRD_SG/DG。设太低可能会开不了机,所以在跑到某个频率时可以尝试从7 7开始放低。
TWTR:通常可设到1,默认是6或者7,有小幅度性能提升。
TWCL:可以设低到8,但是和9相比没有性能提升,但是降低TWCL可以帮助你降低TWRRD_SG/DG。
问题十一:如何寻找最佳性能?
实际上TRCD/TRP在32M、AIDA64、XTU这些测试中都有较大的影响,Hynix颗粒在极冷下可以设置到16-17,配合上3800+的频率C11和很紧的2、3时序可以跑出很好的效能。在空冷下跑低CL值,Hynix还是比不上三星,好的三星Rev.E可以跑出4133C11,但TRCD/TRP不如Hynix紧。
最佳甜点频率大概在3900-4000的样子,作者在4240的频率、同样的二三时序也可以跑测试,但是因为TRCD/TRP松了,所以效能反而不如3960和紧的TRCD/TRP好,可能是因为此时内存带宽已经足够,只需要更紧的时序降低延迟。
例如DDR4-4133 12-20-20会比4000 12-20-20在同样的2、3时序下略快,但是DDR4-3960 12-19-19比以上两者都更快,而且3866 13-18-18也有很接近的表现,足以说明TRCD在32M测试当中是很重要的。
Hynix AFR 3866 13-18-18时序最佳化的效能:
三星Rev.E 4000 12-20-20时序最佳化的效能:
三星Rev.E 3960 12-19-19,时序最佳化,比上面两者效能都更高:
做一个表格汇总测试数据:
总的来讲,作者认为Skylake是一个很有意思的平台,DDR4早期不断更新颗粒、提升性能表现让这个平台变得更有可玩性。作者写这篇东西目的在于帮助那些没什么时间调试内存性能的ASUS主板用户,并且作者得出的结论在其它品牌的主板上应该也类似,可以通用,但也要经过测试来验证。
|
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
评分
-
查看全部评分
|