NAND的天命

发表于 2013-1-23 11:57

。。。。只能等相变内存才能改善了么
前几年65nm到45nm的时候，感觉CPU是凉快了不少，后来32nm到22nm，IVB反而更热了。。。制程进步现在不是好因素。。

ggxuelei · 发表于 2013-1-23 12:00

1230 发表于 2013-1-23 11:57
。。。。只能等相变内存才能改善了么
前几年65nm到45nm的时候，感觉CPU是凉快了不少，后来32nm到22nm，IVB ...

现在SSD耐久已经够用了，用不着那么纠结，又不是在服务器上不停写

krest · 发表于 2013-1-23 15:59

用的舒服就是，只要不碰寨子货，还是不用担心的

Scofield · 发表于 2013-1-23 16:05

国外有人用SF主控做U盘了！http://www.anandtech.com/show/66 ... sf2281-usb-30-stick
不知道是不是TLC的，SF做主控寿命高了就是好

ggxuelei · 发表于 2013-1-23 16:09

Scofield 发表于 2013-1-23 16:05
国外有人用SF主控做U盘了！http://www.anandtech.com/show/6606/mushkins-high-performance-ventura-ultra- ...

应该是MLC颗粒，SF这一代还不支持TLC

bvg · 发表于 2013-1-23 16:12

SSD主控做U盘应该性能不俗。估计可以做Windows To Go用了，我用自己PNY的USB3.0U盘做过一个Windows To Go，结果运行起来卡废了！光看持续读写速度好像也不错了，但U盘的随机存取性能很差的，只有这种SSD主控做的U盘才能表现比较好吧。

Sumesis · 发表于 2013-1-23 16:40

Scofield 发表于 2013-1-23 16:05
国外有人用SF主控做U盘了！http://www.anandtech.com/show/6606/mushkins-high-performance-ventura-ultra- ...

這一顆是Micron的25nm ODP BGA 100 12.0x18x1.4mm 64GB Async MLC, MT29F512G08CUAAAH3.
四顆開256GB 非同步, SATA to USB 3.0的Bridge IC 應該是AsMedia的ASM1053.....

Kingston也是有相同的方案,用的是TSOP的Flash............

Scofield · 发表于 2013-1-23 16:55

S大好厉害！

jianghanpeng · 发表于 2013-1-23 17:31

Scofield 发表于 2013-1-23 16:05
国外有人用SF主控做U盘了！http://www.anandtech.com/show/6606/mushkins-high-performance-ventura-ultra- ...

价格一样高，这东西不知道能有什么用。。。还有散热肯定成问题，万一电气性能差点再来点干扰什么的感觉就更惨了

还不如就标准2.5寸盘加硬盘盒呢

Scofield · 发表于 2013-1-23 18:49

jianghanpeng 发表于 2013-1-23 17:31
价格一样高，这东西不知道能有什么用。。。还有散热肯定成问题，万一电气性能差点再来点干扰什么的感觉就 ...

这个可以放进口袋呀，硬盘盒还是太大了。
Windows To Go的理念感觉很先进，可以把自己的系统随身带着用，只是现在的U盘基本都不够Windows To Go的要求

jianghanpeng · 发表于 2013-1-23 19:07

Scofield 发表于 2013-1-23 18:49
这个可以放进口袋呀，硬盘盒还是太大了。
Windows To Go的理念感觉很先进，可以把自己的系统随身带着用， ...

win to go还可以使用中拔u盘呢。。。只要1分钟内插回去就成。。。你试试看（我在微软TechED大会上看到的展示）

Devote · 发表于 2013-1-24 02:19

small 发表于 2013-1-21 18:30
技嘉那老掉牙的iram是PCI接口的

我记得PCI只是固定和供电

haierccc · 发表于 2013-1-24 19:39

small 发表于 2013-1-21 18:30
技嘉那老掉牙的iram是PCI接口的

曾经看到开发者说要开发PCI-E的设备，可是始终没见产品

hunau316 · 发表于 2013-1-31 19:20

学习了

hanfengcai · 发表于 2013-3-9 14:19

随制程提高，元件越来越小，绝缘层厚度越来越小，供电电压只能降低，NAND的阈值电压区分越困难，功耗虽然降低，但寿命越来越短

业内小强 · 发表于 2013-3-12 16:42

其实啥都是有寿命的，合理合理

aixiangsui · 发表于 2013-3-18 19:15

ggxuelei 发表于 2013-1-22 19:52
看了下相变内存的介绍，好像地位还是倾向于取代NAND，而不是取代DRAM，那叫他内存的话，，后边又要凌乱了。 ...

相变去年达到1GB，阻变今年达到4GB。（单芯片）
闪存是16G

aixiangsui · 发表于 2013-3-18 19:16

ggxuelei 发表于 2013-1-22 19:52
看了下相变内存的介绍，好像地位还是倾向于取代NAND，而不是取代DRAM，那叫他内存的话，，后边又要凌乱了。 ...

跟DRAM纠缠的是STT之类的存储器，不是相变的活

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