本帖最后由 Essence 于 2013-1-15 08:23 编辑
上一篇中介绍了闪存的历史与类型，那么闪存颗粒是如何被制造出来的呢？
第一阶段：沙子熔炼单晶硅
沙子：脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25%的硅元素，以二氧化硅SiO2的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。
硅熔炼：硅净化熔炼成大晶体。通过多次净化后达到半导体制造需求的电子级硅，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。
单晶硅锭：最后得到纯度99.9999%的单晶硅锭。
第二阶段：硅锭切割成晶圆
硅锭切割：将硅锭横向切割成单个硅片，也就是我们常说的晶圆（Wafer）。因为是类圆柱体切割，横截面自然就是圆形了。
晶圆：切割出来的晶圆经过抛光后表面像镜面一样完美。现在的晶圆多为300毫米（12英寸）。
第三阶段：光刻
IMFT内的光刻室
操作间的无尘控制标准比医院手术室还要干净100倍！
晶圆光刻时做掩膜
在300mm晶圆上采用25nm技术光刻出的NAND闪存芯片
25nm制程NAND闪存芯片，单个长方形为2GB，单个Die是8GB
关于光刻技术，本站网友Asuka曾经有过介绍：
http://bbs.pceva.com.cn/thread-45031-1-1.html
http://bbs.pceva.com.cn/thread-45759-1-1.html
第四阶段：检测与封装
晶圆光刻完成之后，需要进行测试后进行封装，封装成为颗粒才能使用在SSD等各种设备上。
一片晶圆在出厂之前经由测试分类出好的晶粒（Good Die）和不良品（Ink Die）。
关于Ink Die的起源是这样的，以往封装设备还没有自动化的时候，需要人工在不良品上点上墨点作为标记，所以后来不良品就被成为Ink Die。
封装设备和技术进步以后，晶圆的测试会以坐标的方式区分Good Die和Ink Die，记录下来的资料就叫Mapping。
封测厂根据Mapping把Good Die取下来封装成颗粒，对于Flash来说有以下几种封装类型：
TSOP II：类似于DRAM 4Mx16，2001年以前的小容量多是这种封装
TSOP I：Thin Small Out-line Package，48脚封装
BGA：Ball Grid Array，常见有100/132/136/152 Ball
LGA：Land Grid Array，Apple产品应用倡导的封装形式。
DBG(DICING BEFORE GRINDING)晶圆封装工艺流程示意图：
通过了测试的颗粒使用激光蚀刻打上原厂标：
采用了Intel ME2颗粒的金士顿HyperX 120G
从沙子熔炼到单晶硅，切割成晶圆，再通过光刻、测试封装成颗粒，一道道工序后留下的良好品质的颗粒，再搭配设计合理的主控，才能成为最终到达我们手中的值得信赖的SSD。
文中引用了Sumesis、Asuka和emil20001的一些资料，在此一并表示感谢。 | 
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