本帖最后由 Sumesis 于 2013-1-15 01:35 编辑
記憶體主要分為Volatile(易揮發的), Non-Volatile(非揮發的),主要差別就是不給電資料還能不能保存!
Volatile: 如Fast-Page Mode, EDO DRAM, SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, SRAM, pSRAM.......
Non-Volatile: EPROM, EEPROM, NOR Flash, AG-AND Flash, NAND Flash, Serial Flash, CD, DVD, HDD,.......
早期的NVM(Non-Volatile Memory) 如EPROM,是用紫外光的照射來做編程, EEPROM則用電壓,
NOR Flash沿用了EEPROM的編程方式, 早期是用3.3V讀取,5V編程, NOR Flash是東芝首創,
但MLC的架構則是Intel的發明,最早用於NOR Flash上,
世界上的第一片N-AND Gate Flash也是東芝先產出,約莫是1994年,
但是到了1998年之後才有大量的應用,以KB為容量單位的Smart Media Card出現了,
接著以色列的M-System(幾年前被SanDisk Merge)實現了以USB為傳輸介面的非揮發性儲存媒體,
後來新加坡的Trek公司也有了同質的產品,原本任職於這家公司的兩位技術人員回到了中國,深圳,
成立了一家高新技術公司: 朗科, 開發出了自有的產品,並且申請了很多的專利,並且給了他一個很上口的名稱: U盤,
U盤是朗科起的名字,這個名稱是朗科所擁有的,今天被普遍地應用來稱呼USB Flash Drive.......
印象中最小容量的Chip應該是Samsung K9S4008x0x-YCx0(年代久遠,恕我記不得完整料號),
容量是512Byte, 8it Access,封裝用的是TSOP II 44pin,像早期的SDRAM,
後來才有2KB/Block(Large Block)的TSOP I 48pin封裝,也有WSOP的小型封裝方式,
當時Samsung每生產銷售一顆Flash都要付給Toshiba相應的權利金,但是在這個過程中,三星的實力不斷地累積..........
回顧歷史,Fujitsu也曾投入了NAND Flash的研發生產, 到了128Mbit, 由於資本投入的增加, 成本-利益考量,
約莫在01~02年淡出市場,接著NEC和Hitachi的記憶體部門合併到Renesas並以AG-AND NAND承接了這一塊,
同時期Infineon也另起爐灶.但是都沒辦法把路走遠.........
04年左右,ST以技術授權和Hynix合作的方式形成了第三勢力的NAND Flash供應者,
打破了長久以來的東芝-三星的恐怖均勢, 不到兩年Micron也投入了這一塊戰場,並把Intel拉下水,
ST/Hynix的合作關係沒有維持太久,ST把這一塊轉到合資公司的Numonyx,並退出這塊的銷售.......
早期的IMFT是Micron投資半座,Intel投入一座晶圓廠的產能為基礎的合資公司,產地皆在美國本土,
需求不斷地成長,為了擴大市佔,於是IMFT又在新加坡開了十二吋晶圓廠,
到了這個時期,SanDisk也由三星,東芝的客戶轉化為東芝的夥伴,共享Fab 5的產能,
東芝Fab 5等於前面四座晶圓廠產出總和的1.5倍,目前以位元的總產出量計算排名,(有的增產,減產數字略有差異)
三星第一,超過30%, 其次是東芝, SanDisk居第三, 二,三名的總和比三星略多, Hynix第四,約1x%
Micron約佔8~9%, 最後是Intel,其他的如SMIC, 力晶的產能對Flash市場的影響微不足道...... |
