本帖最后由 neeyuese 于 2010-9-7 09:22 编辑
60G OCZ VERTEX2 的 ATTO成绩。
ICH9上全默认跑，跑出了官方标称值285/275。 主控最大带宽，NCQ优化4级深度，模型为00000000或者FFFFFFFF，可以完美压缩的数据流。
测试模型为FF00FF00,AA55AA55。数据模型可压缩近50%，单线程，跑出基本2倍于真实NAND速度的能力。（基本反映大部分系统文件的读写能力）
测试模型为随机（随机0~F）。跑出"随机数据"单线程"持续"速度。类似HDtune的块分别从512B开到8MB跑的成绩。
测试模型为升序。跑出单线程"持续"速度，数值和CDM的第一项"持续"速度基本吻合。
这几组测试能充分体现出SandForce主控SSD的"压缩算法"在各种数据模型下的真实"持续"能力。
ICF09上Intel自曝X25-M的随机写入耐久度数值。80GB的写入7.5TB的随机文件耐久度，160GB的写入15TB的随机文件耐久度。
在barefoot主控上的小资料:固件2030更新了各大颗粒P/E值 = 平均可编程数。（关乎寿命） 对应 OCZ = Firmware 1.6
Samsung 5x nm NAND : 10K -> 5k, Samsung 4x nm NAND : 10K -> 3k,
Intel/Micron 3x nm NAND : 10K -> 5k,
Hynix 41nm : 10K -> 5k, Hynix 32nm : 5K -> 3k
根据：fw2030 on SuperTalent |
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