换个角度看SSD耐不耐操

这个跟SSD上的缓存大小有关么？ 马牌主控的SSD运行时映射表放在缓存中， 有些写入数据也会放在缓存中，如果掉电时这些改动没有即时写入nand，则可能会出现SSD或文件系统出错，而现在的SSD缓存越来越大，这个概率也会越来越大，比如说256M的缓存掉电时比512M的缓存出错的概率小，包括其它论坛上有人说到三星的830系列也出现这个情况，它的缓存好像也比较大(256M), 而m3 m3p的激进的GC策略导致缓存中的映射表改动更加频繁，会不会导致上面说的这种更大概率的情况呢？

还有不知道M3 M3P这样激进的GC算法对写入放大有多大影响，这涉及SSD高负载下的寿命的问题，这个也算是耐操的一方面吧.

缓存主要放映射表，但是多多少少也会放用户的写入数据吧，如果有个比例的分配在里面，缓存越大放的用户数据就越多，这样写入性能就越好，所以这种情况应该是有可能发生的。

找到一张有关M3P和其它几个盘的写入放大数据，从数据上来看，M3P以激进的算法来保证性能，但是这会导致写入放大很大，是M4的两倍以上，最终导致寿命减少，于是以好一点的颗粒（5000/PE?）来保证，但是最终平均算下来寿命还是差M4一截，也就是耐操程度不如M4，虽然在家用的低负载下问题不大，但是只要有寿命对比就会有心理差距，而且家用如果是低负载的话反而对M4和M3P性能差距的敏感应该不高。
总的来说以寿命换性能，而且还不知道是不是1：1的换，用好的颗粒补上一些寿命，导致价格过高，应该在高级玩家的市场中比较好。

图片出处在此：M3P写入放大  [url]http://www.anandtech.com/show/6090/plextor-m5s-256gb-review/9[/url]

FlankerWang 发表于 2012-7-25 23:08
这个准确率有多少？Intel用SF的主控，520的放大还这么大？

数据准确性不知道，应该是这个网站测试出来的，这个算是SSD最底层的数据，厂商不会给一般人的，所以最准确的数据应该只有厂商才知道，intel 的ssd写入放大可以从smart中的几个参数计算出来，其它厂家的SSD从smart中算不出来

James007ss 发表于 2012-7-25 23:09
回应17楼的坛友，笔记本硬盘位表面和内部温度温差达20度，我觉得有点不可思议，以我所知，本本硬盘一般应该 ...

关于缓存放用户数据提高写入性能的问题，我想从实际中的使用经验可以得出缓存越大，写入性能越好，例如raid卡中的缓存大小对写入性能的影响，至于厂商是否以其它方式来提升性能，没有足够的证据，我们都只是在猜测而已，因此你无法说服我，我也无法说服你，只能让时间去证明一切，同样写入放大对寿命的影响，你我也都没有数据，也只能让时间去证明，但是只要没有足够的证据和数据，就无法解决用户对此的猜疑，我想这对于要求完美的人来说也是不足之处吧......总之目前看来是一分钱一分货，性价比大家还是算得比较清楚的.

James007ss 发表于 2012-7-25 23:41
以我目前所了解，ANAND那个WA数据，很可能只是用很粗略的计算方式获得，而且他们本身也没有说明过具体怎么 ...

你没数据支持，我也没数据支持，厂商也不给数据，我们都是在猜测缓存的行为，何必说谁进入了“误区”呢？ 固定思维和先入为主的想法谁都有，难道让用户对这个猜疑都不可以么？ 例如在window中手动将SSD上的硬件缓存关闭，写入性能会下降得很惨，说明SSD在写入时多少总有用到缓存来写入用户数据吧。

对于写入放大，人家网站好歹也给了个自己测试的数据，给大家做个参考，而且浴室在M3P的测试报告中也说了耐久党请退散，难免不让人产生这方面的猜疑。其实实际使用中的写入放大值厂商可以直接在SMART中给出，例如intel就给了几个参数来计算SSD实际使用中的负载，从而间接计算出写入放大，如果厂商不给参数，普通用户也只好用跑分软件来测了，而且也不是完全实际使用中的写入放大，所以这也不能怪用户对这方面不放心，因为这个你不给参数就只有用时间来证明。

好了，既然也讨论不出什么结果，我就到此为止吧，也只能让时间去证明SSD耐不耐操了。

James007ss 发表于 2012-7-26 10:40
我前面文字表达得不太好，可能让你产生误会，这个抱歉，我修改了下。

不过我这里想再强调的是，马牌主控 ...

intel SSD的SMART提供的E1 E2 E3 E4参数可以详细计算一段时间内的SSD写入和读取负载，再结合E9的磨损百分比和颗粒PE数，可以计算出一段时间内的写入放大。关于intel ssd的SMART参数的解释，intel ssd toolbox帮助中就有写，其官方网站有也有写，而且intel给商用用户的SSD解决方案中，测试用户实际应用对硬盘的写入负载，以提供优化SSD的方案就是以这些参数来让用户做相应优化的。
http://code.google.com/p/hddguardian/wiki/Intel_SMART_attributes
http://www.intel.com/content/www ... -specification.html

E1
主机写入

原始值报告主机系统写入的总扇区数。主机每写入 65,536 个扇区，原始值将增加 1。

E2
计时工作负载，介质磨耗

测量 SSD 发现的磨耗（自重置计时工作负载计时器起，属性 E4），作为最大额定周期的百分比。

E3
计时工作负载，主机读/写比率

I/O 操作为读操作的百分比（自重置计时工作负载计时器起，属性 E4）。

E4
定时工作负荷计时器

测量从工作负荷计时器启动开始的运行时间（分钟数）。


E9
媒体磨损指示器

报告 NAND 媒体的循环次数。此标准化值从 100 到 1 线性减少，而平均擦除周期计数从 0 增加到最大额定周期。虽然设备有可能发生重大损耗，但一旦标准化值达到 1，数字将不会再减少。



例如我的160G硬盘在两个月内E1显示写入了5T数据，实际工作负载由E2计算显示消耗了1%的磨损（E2/1024 %），官方标称的5000P/E颗粒，换算得实际颗粒写入磨损了160G*5000*1%=8T，那么这两个月内的写入放大就是8T/5T=1.6

PS: E2的计算出来的磨损值精确到0.001%

上面的写入放大数值已由我手中的某台服务器7X24跑数据库验证，确实可以计算出比较精确的写入放大值，如果计算出来的写入放大过高导致寿命期望值减少，我可能会买更大的硬盘然后加大OP到20%以上.

James007ss 发表于 2012-7-26 11:02
哈哈，果然说的520么，SF盘应该都有这2个数据，也就是说都能大致的计算WA，但也只是一个大概的数据，实际 ...

同样，我再贴一个intel ssd根据SMART中的E2来计算写入放大的例子：
http://www.tomshardware.com/revi ... chmark,3124-11.html

所有intel 的ssd都提供E2的参数（跟主控无关），可以说这是计算intel ssd写入放大的利器，其它厂商没见过这么开放的。

James007ss 发表于 2012-7-26 14:01
这么说吧，Intel确实是有提供相关数据给用户自行计算WMI的消耗和自身使用环境下的WA，但它针对的其实并非 ...

只要厂商提供这个计算的参数，民用的玩家照样可以测自己写入负载，只不过因为平时压力小，情况复杂所以需要延长测试时间，比如说我上面用了两个月来测自己的SSD使用习惯，这对于以后更长时间的使用SSD是有帮助的，也是很有参考价值的，而没有提供这些参数的厂商就无从这样计算了，只知道我一共写入了多少G的数据或多少PE，却不知道真实的写入放大导致实际的颗粒磨损了多少G，这可能会导致一个比较严重的问题：那就是用户在极端情况下(比如家里用光纤宽带的24小时下载机)只写入了不到标称PE的容量后，SMART也显示正常，实际内部早就把PE写完了的情况，这时SSD突然挂了(比如前不久那个在标称PE左右写挂的OCZ跑分王），最终导致用户在无警觉下的数据丢失，虽然有3~5年的保修，但是数据无价.......

我想厂商给的数据越透明，那么我们使用时就越心里有数，例如intel这样的公开更多的参数.

neeyuese 发表于 2012-7-26 14:52
你说的没错，不过由于每家厂的算法不同，而且SMART的元数据就在算法里的赋值，再通过接口出来给用户查看 ...

嘿嘿，对于比较扣门的公司来说，用民用的SSD来做商用，能不能提供这些参数就比较重要了，像intel看到很多公司为了省成本直接上320系列的SSD，于是上门服务时直接把320的那些参数怎么使用来为实际应用做优化，怎么测试，最后OP多少最好都给详细的参考文档，在民用的320系列ssd上这么好的服务都没的说啊......