本帖中部分数据引用出处： http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?271063-SSD-Write-Endurance-25nm-Vs-34nm
上面这张图来自本帖一开始引用的连接内，几个国外发烧友用自己贡献出来的SSD做的民用耐久度测试图表，测试过程是使用一个叫Anvil's storage utilities的软件，在对测试SSD上写入一定的不移动的静态数据后，再对其进行随机和持续写入测试，每个时间段还会进行MD5校验来保证数据的正确性，测试中还会在特定时间发送Trim指令，并且会在特别的时候进行1~2天的漏电测试（不接电源放置1~2天）。
图中绿色代表当前SSD总写入量，而蓝色则代表当前SSD在官方WMI（官标耐久度）磨损完时的写入量，如果没有蓝色条，则可能有2个原因：1.写入量还没到官标耐久度。2.官方提供的SMART数据不充分，无法判断当前SSD是否已经写完官标耐久度。
记得我1年前测试m4的时候就说过，美光在自己的产品上（特别是早起刚投入25nm量产时）使用了“特挑”体质的颗粒。尤其以64GB和128GB的m4使用的颗粒为同步L73A为例，属于25nm IM颗粒中的"极品"型号，用接近34nm的成本和规格来做的25nm产品，虽然官方规格书上还是写P/E 3000。而256GB和512GB的产品使用的颗粒为25nm IM颗粒中的普遍高端型号，同步L74A，当然也会经过一定的品质筛选。
那么接下来让我们看一看何谓“特挑”，何谓“极品”的颗粒。
xtremesystems论坛一共测过2块m4 64GB SSD，而且2块都坚持到了10000 P/E以上，其中第一块死因是由于测试者妻子住院生产，家中电脑关机9天，造成高磨损度下的SSD因为NAND漏电，导致上机时数据出错超过ECC纠错能力，无法补救造成SSD不识别，而第二块如上面的写入量图表里显示的那样，目前还在测试中，接近20000 P/E大关却没有1个重映射。
按照测试者的说法，第一块m4死亡前最后的smart主要参数如下：
型号： Crucial m4 64GB
写入量：768.5687 TiB
测试时间：2749 小时
平均速度：88.43 MiB/s.
颗粒磨损度：P/E 13330.
SMART：01 (raw read error rate) 46.
05 Reallocated sectors : 00
MD5校验无问题。
MWI的值为：170.8 TiB
对于一颗25nm的MLC SSD来说，这个指标是无法想象的华丽，超出官标3000 P/E整整3倍多的耐久度。
第二块m4当前还在测试中，下面是CDI的截图。
正好借此机会，我们来分析和研究下m4 SMART内部的值到底如何看
上面我画了2张表。
按照表分析上面CDI的图，这第二颗m4 P/E已经有19678次 （AD）， 重映射依然为0 （05）
但是从（AB）和（CE）上看，颗粒其实磨损的很严重了，不过靠着m4的牛B”特挑“加ECC纠错硬是撑下来了。
拿之前我们看过的OCZ VERTEX 4来说，http://bbs.pceva.com.cn/thread-46389-1-1.html
P/E刚过3000就死翘翘了，这个差距真是太大了。一般按照我的经验，颗粒如果品质可以，算法也不是太糟糕的话（2012年大家都用全局磨损平衡了），超过官标50%是没什么问题的，除非你算法写放大特别高。
为何OCZ死的那么早？我认为这个和他采用的激进写入算法有点点关系。（从1.4RC固件开始，128GB写入增加到400MB/s，这里面有蹊跷哦，等我下回分析。）
本帖最后再发张我的m4 256GB CDI截图。
这块SSD被我折磨的很惨，有几个数字也正好拿来解释下。
（05）重新分配扇区数为983040
（C4）重新分配扇区事件计数为240
我们用983040 / 240 = 4096扇区 = 2MB = 正好为同步L74A（m4 256/512GB采用的颗粒）的一个Block容量。
我对这块SSD进行过稳定态，拉闸的测试，并进行了多次Secure Erase操作，因此造成了某些表示错误的数值偏高，不过从另一方面来看，同步L74A质量的确不如同步L73A。
当前市面上唯独美光64GB和128GB SSD有采用特挑的同步L73A，对耐久度比较纠结的朋友，低容量SSD如何选还不明白？ |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
|
[复制链接]
收藏
转播
