关于IVB温度问题，下一步测试计划

顶r大再测；差20度也太离奇了，看上面大家都说了
1-系数82的神油跟普通硅脂的10内的不在1个数量级上；
2-82神油的涂抹有变相扩大芯片面积扩大热导出面积减小单位面积上热量的嫌疑；
3-压力，r大自己也说了，但如果是有铜均热底的散热器直触核芯怎么也不会比铜合金的顶盖还多1层硅脂的差，
  希望r大查1下intel文档看能否查到---粘合顶盖与基板时顶盖与核芯间的压力（压强）；

4-有报导说“Intel还介绍了22nm工艺晶体管的一些情况，代号P1270的22nm将会制造两种不同的晶体管，一种称为“Quarter-leakage”，它的漏电流正常，速度最快，另一种则是速度中等但漏电流只有1/10的慢速晶体管。不同等级的CPU使用这两种晶体管的比例也不一样，最快的CPU中有70%快速晶体管和30%的慢速晶体管组成，其中一些特挑的芯片则有75%的快速晶体管以及25%的慢速晶体管。”

      那代号P1270外会不会有别的代号的芯片，怎么区分呢？
               要是75%用低漏电晶体管呢？

   

血牛嘎嘎 发表于 2012-5-13 09:13
用100%慢速的晶体管估计就死活加压也上不去5.0G了

改了，75%，那个低20度的测试好像没测超频
就拿100%的低漏电晶体管讨论也行吧，
纯属猜想：
以前也有用液氮降温频率能超上7G，如果换多点低漏电低频率的管子让发热降下来以适合散热器的现状，也不失为是个务实的办法，里外普通风冷主频都起步来了不如让温度低点。

这可能要多个批号的IVB对比测试了

血牛嘎嘎 发表于 2012-5-13 09:20
同学你不是根本没看原报道吧。。
4.6G 1.2V

看漏了，不好意思

日本人测的这个看来不是ES版，
r大能不能再搞来个零售版测1下呢，2个版本的数据

royalk 发表于 2012-5-13 13:59
目前我使用采融硅脂再把IHS盖回去，温度没有太大变化，所以应该不是这个原因 ...

r大：
看93楼的意思应该是有顶盖下，
要是液态金属硅脂量够的话能不能分2次做测试，
1次-涂的面积和IVB核心基本1个面积就是166mm^2不逸出太多，
2次-尽量多涂（让它包裹核心添满顶盖&核心基板间的1部分空间）制造1种类似“大核心面积”的情况，

这样看温度对比有多大的变化，普通硅脂导热能力差“涂法2”可能效果不明显，这次看看这个等级的什么情况，
因为上次盖不盖顶盖基本不怎么改变温度（大概差2度）就是表示出在1定热源、导热、散热条件下温度与热导出面积相关；

然后是无盖核心直触带铜均热底的散然器再重复上面 1次-  
                                                                           2次-   （按常规估计这  1次 &  2次的差别应小于有盖的）


r大的液态金属硅脂好像买的不多（小鬼子真坑人，光验证他们是否胡说这卖硅脂的就能赚发了)

royalk 发表于 2012-5-14 12:19
不知道，这些顶级硅脂的测试其实很浮云，每家测出来结果都不太一样

http://bbs.pceva.com.cn/thread-45101-1-1.html

《 聊聊IVY顶盖面积影响散热的谬论，我敢说顶盖盖上也没区别》

诚请r大看1下这楼里 7、8、9、10楼说的 “CPUGPU同时满载”&“单独CPU满载GPU空闲” 和“166mm^2正常涂”&“上及4周 5端面包裹漫涂”形成的4种组合，的较全测试

当然让r大受累了，单也把这事来个盖棺定论，我们以后超频或开盖的如何涂硅脂也有个实例