面對新製程體質較不穩定的Flash,除了Read Retry,在Write Disturbance的部分,緩存起了很大的作用,
在寫入的過程,對某一個特定Page充放電時可能會對週邊的page造成干擾,以致影響了資料的正確性,
適當的回讀保留週邊page的資料,待寫回之後,做一次Write recheck,可以避免干擾造成的資料錯誤,
這時或許需要把前後各2~3個page的資料Queue在DRAM裡,而且是Paralell的,
若是設定前後各3個,那等於program 1個Page要保留14個Page的資料量,倘若用Flash對寫入放大無疑是很大傷害,
而且對主控的Loading,速度都是很大的負擔,這種狀況下DRAM在速度和耐寫性就起了很大的作用,
到了19nm/20nm的Flash, 除了SandForce這種高階算法的主控,大部分的方案對DRAM的依賴會越來越吃重! |