i7 3770k开顶盖测温是一个误导

http://news.mydrivers.com/1/228/228298.htm

“但现年50岁的罗瑞德却看到该行业正接近“拐点”，这可能会伤害Intel尖端的处理器设计和先进制造能力的紧密整合。”

““伤害Intel尖端的处理器设计和先进制造能力的紧密整合。””


pop的4楼网友的那个推断太可怕了，几乎是认为22nm3D等同当年让intel总裁跪下道歉的P4的高温了；

看来专业知识很重要啊，都是高手，我慢慢学

royalk 发表于 2012-5-12 23:16
我可没必要为了证明你说的不对而去骗全世界的人
对了，提醒一下你忘记开代理了 ...

耐心翻到17页看完了，真累啊。R大，给你个建议，把2600k开盖，用同样的硅脂，同样的散热器，跟3770k测试温度，就能对比二者核心发热量了。

coffeez 发表于 2012-6-16 20:26
耐心翻到17页看完了，真累啊。R大，给你个建议，把2600k开盖，用同样的硅脂，同样的散热器，跟3770k测试 ...

26K钎焊的，开不了

核心和顶盖散热面积的问题，我设想的实验方案应该可以确定：

至于3770K的发热是否更大，测CPU功率即可。

印第安纳琼斯 发表于 2012-6-16 22:45
核心和顶盖散热面积的问题，我设想的实验方案应该可以确定：

至于3770K的发热是否更大，测CPU功率即可。 ...

现在问题是出在die和IHS的接触硅脂上，不是IHS和散热器底座上，IHS本身是全铜的而且接触面很大没什么热阻。

royalk 发表于 2012-6-16 22:51
现在问题是出在die和IHS的接触硅脂上，不是IHS和散热器底座上，IHS本身是全铜的而且接触面很大没什么热阻 ...

楼主说问题在于散热面积，所以我这是针对楼主“顶盖加大散热面积”理论的实验设想，两组实验唯一的区别就是接触面积。如果楼主理论是对的，那温度将有明显差别。

印第安纳琼斯 发表于 2012-6-16 23:17
楼主说问题在于散热面积，所以我这是针对楼主“顶盖加大散热面积”理论的实验设想，两组实验唯一的区别就 ...

他的理论没错，但实际上并不是那么回事

真实的散热面积是应当并且只应当计算 热源本身与外部接触面积  怱略底部的PCB板（热阻较大），那么一颗IC最大可能存在的接触面积只有上表面及四个侧面而己。