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开盖有奖?实测Core i7-3770K开盖后温度变化情况

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1#
ssn20 发表于 2012-4-29 22:10 | 显示全部楼层
royalk 发表于 2012-4-29 21:39
有一种说法是指3D晶体管source和drain的表面积增加,并且source和drain是朝向三个方向的,因此在微观上会 ...

猜想一下会不会是发热源到硅表面的距离比原来的长导致这种结果呢,拿网上的数据估算差个0.1毫米温差能大6、7度
2#
ssn20 发表于 2012-4-30 13:50 | 显示全部楼层
Asuka 发表于 2012-4-30 10:36
看回帖觉得   还是大把大把没有看过我帖子的人啊
╮(╯▽╰)╭

这是你的看法吧
“其二,电路中最不起眼的东西,电线不爽了,“老子也不是省油的灯!”那么电线为了刷存在感,就在越来越小的制程下跳了出来,理由很简单,初中物理,电线越细,电阻越大;电线越长,电阻越大。制程小了,所以电线细了;晶体管多了,所以电线多了长了。作为结果,发热大了。这是我对于Ivy Bridge的“相对令人失望的表现”的猜测。”
芯片发热量最终要传导出来,以单晶硅的导热能力,就算单位面积热量增加一倍不应该会导致核心温度上升十几度吧。主要导致温度提高的应该是导热材料厚度增加或导热材料变化热阻增加。
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