开盖有奖？实测Core i7-3770K开盖后温度变化情况

不得不膜拜啊!

royalk 发表于 2012-4-27 21:21
最好还是别乱搞的好，不说别的首先就会失去保修
刚看了个老外开3570K的视频，他直接用小刀切进去，然后再 ...

看来还是R大手法高明.

不过我觉得那老外那么搞不一定能把cpu搞坏, 看上去外观没什么损伤, 点不亮的原因可能是最后上机的时候cpu底板没法和触点良好接触导致的, 主板上那些触点都是金属弹片, 不会严格在一个平面上, 扣具的作用就是把cpu往下压一点, 能让cpu的触点和主板基座上的有良好的接触, 单独这么放着估计接触成问题.

我注意到很多人似乎对 "锡封装" 相比 "无封装" 的散热改善有一些进一步的疑问.

从原理上讲, 如果锡焊接的热阻足够小, 其在某种意义上确实是 "增大了die的散热面积", 但是这种改善应该是比 "die-硅脂-顶盖-硅脂-散热器底座" 到 "die-硅脂-散热器底座" 的改善程度要小.

从 "die-硅脂-顶盖-硅脂-散热器底座" 到 "die-硅脂-散热器底座" 的改善 (也就是R大的拆盖大法), 由于去掉了坑爹的intel硅脂和顶盖, 从die到散热中间的热导能力至少会变为原来的两倍. 但是温度改善聊胜于无, 这就说明最大的热阻在die本身, 而不在硅脂.

也就是说即使将情况最理想化, cpu顶盖能够完美和散热器接触, 那么也不会对温度有太大改善, 更何况什么锡焊接+顶盖的负面影响了.

若直接去测量die表面的温度, 我想应该不会比散热器底座上高多少, 高温区应该是在die中偏向触点方的芯片层, 简要来看可能就是3d晶体管改变栅极方向导致芯片层 "变厚" 了. 而芯片材料本身的热阻应该很大. 所以才导致了高温.

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以上的言论目的是说明R大的测试具有极大意义, 从R大的测试结果来看, 不论如何改善外围导热设备, 目前来看是无法改善温度的. 我认为这也是intel用普通硅脂的原因, 因为如果用锡焊接能有很好改善的话, intel还不至于省下这点成本而背上坑爹的骂名 (呃, 我想说的是虽然amd现在很萎, 导致intel坑爹无极限, 但是像这种 "直接在核心硬件用料质量上缩水" 的行为, intel是不屑于干的), 一个cpu的毛利给intel带来的营收应付封装的那点成本差距应该还是绰绰有余的...

kevinkt 发表于 2012-4-28 22:02
矽本身的熱傳導係數大概是145 W/mK
其實並不差
所以真的不懂晶片內部到底是用了什麼材料可以使得熱被積聚 ...

芯片表面应该有一层涂层一类的东西保护, 而且那些半导体材料, 金属啥的做成芯片, 也不是很纯的一块单质了, 里面有各种空间结构, 具体就不知道了.

反正根据R大的测试来看, 这次芯片本身的导热系数应该是很小.

当然这个可能有个体差异啥的.. 不过多开几个盖子来测实在是有点蛋疼. R大的测试还是有代表意义的.

dsddsd 发表于 2012-4-29 09:15
我说的意思是snb和ivb,核心面积相差的那部分，是否真能造成这么大的温差？有文章提出是22nm的三栅极晶体 ...

发热小和导热速度没有太大必然联系吧.

我个人觉得其实发热小就足够了. 因为超频用户毕竟是小众, 目前来看默认使用根本没有任何问题......