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开盖有奖?实测Core i7-3770K开盖后温度变化情况

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230#
0.618 发表于 2012-4-30 13:23 | 只看该作者
这个盖内的硅胶 用几年会不会硬化 导热更加差....
229#
0.618 发表于 2012-4-30 13:23 | 只看该作者
这个盖内的硅胶 用几年会不会硬化 导热更加差....
228#
ooandaa 发表于 2012-4-30 11:26 | 只看该作者
royalk强测,顶啊...
227#
Asuka 发表于 2012-4-30 10:36 | 只看该作者
看回帖觉得   还是大把大把没有看过我帖子的人啊
╮(╯▽╰)╭
226#
cy17009 发表于 2012-4-30 10:19 | 只看该作者
R爷是个好孩纸
225#
royalk  楼主| 发表于 2012-4-29 23:28 | 只看该作者
ssn20 发表于 2012-4-29 22:10
猜想一下会不会是发热源到硅表面的距离比原来的长导致这种结果呢,拿网上的数据估算差个0.1毫米温差能大6 ...

是有这种可能。但是具体细节情况不得而知了
224#
ssn20 发表于 2012-4-29 22:10 | 只看该作者
royalk 发表于 2012-4-29 21:39
有一种说法是指3D晶体管source和drain的表面积增加,并且source和drain是朝向三个方向的,因此在微观上会 ...

猜想一下会不会是发热源到硅表面的距离比原来的长导致这种结果呢,拿网上的数据估算差个0.1毫米温差能大6、7度
223#
royalk  楼主| 发表于 2012-4-29 21:39 | 只看该作者
dsddsd 发表于 2012-4-29 09:15
我说的意思是snb和ivb,核心面积相差的那部分,是否真能造成这么大的温差?有文章提出是22nm的三栅极晶体 ...

有一种说法是指3D晶体管source和drain的表面积增加,并且source和drain是朝向三个方向的,因此在微观上会存在表面积增大,直接增加发热密度,并且热流密度不一样导致散热问题。不过这只是一种推测,真正如何估计只有intel自己知道。
222#
zxy356 发表于 2012-4-29 16:37 | 只看该作者
话说回来INTRL的神秘配方硅脂还是很不错滴
221#
smatk768 发表于 2012-4-29 16:16 | 只看该作者
R大太残暴血腥了。就这么直接把颅盖掀掉 不过测试结果确实证明了intel并没有拿硅脂来坑大家
220#
bb5610 发表于 2012-4-29 15:47 | 只看该作者
会不会是因为3D堆砌的关系,所以热密度高了?
219#
shenj520520 发表于 2012-4-29 15:20 | 只看该作者
intel怎么会这样呢
218#
liebealt 发表于 2012-4-29 15:09 | 只看该作者
qingxigreat 发表于 2012-4-29 08:23
R大, 3770不带K,不超频或者小超到4.0要不要上个散热
需要的话能不能推荐两个呢:)

呵呵,追踪帮顶至此。因为我也在关注不OC的IVY。

3770的帖子少,看了不少E3 1230 V2的。挺奇怪,有的待机40有的23。真不清楚怎么回事了。IVY默频还行的话就果断3770了啊。
217#
tangti02 发表于 2012-4-29 14:08 | 只看该作者
额~~说明硅脂是不重要的~~~
216#
sd1601788 发表于 2012-4-29 13:12 | 只看该作者
深度潜水员 特来顶贴,这是个好地方
215#
a520839 发表于 2012-4-29 10:59 | 只看该作者
你的帖子被换了 一个标题  被人到处转转 人家是原著了   http://bbs.pceva.com.cn/thread-43705-1-1.html
214#
lzytank 发表于 2012-4-29 10:52 | 只看该作者
奶奶的,苦等4个月就是你妹的这个结果,intel真心坑爹啊!
转入e3 v2,等待新步进吧
213#
zyx071006 发表于 2012-4-29 10:15 | 只看该作者
R大写的文章被驱动之家转帖了,哈哈写得给力
212#
lbs 发表于 2012-4-29 10:12 | 只看该作者
dsddsd 发表于 2012-4-29 09:15
我说的意思是snb和ivb,核心面积相差的那部分,是否真能造成这么大的温差?有文章提出是22nm的三栅极晶体 ...

发热小和导热速度没有太大必然联系吧.

我个人觉得其实发热小就足够了. 因为超频用户毕竟是小众, 目前来看默认使用根本没有任何问题......
211#
lbs 发表于 2012-4-29 10:11 | 只看该作者
kevinkt 发表于 2012-4-28 22:02
矽本身的熱傳導係數大概是145 W/mK
其實並不差
所以真的不懂晶片內部到底是用了什麼材料可以使得熱被積聚 ...

芯片表面应该有一层涂层一类的东西保护, 而且那些半导体材料, 金属啥的做成芯片, 也不是很纯的一块单质了, 里面有各种空间结构, 具体就不知道了.

反正根据R大的测试来看, 这次芯片本身的导热系数应该是很小.

当然这个可能有个体差异啥的.. 不过多开几个盖子来测实在是有点蛋疼. R大的测试还是有代表意义的.
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