开盖有奖？实测Core i7-3770K开盖后温度变化情况

cncmouse 发表于 2012-4-28 08:43
在想一个问题, 会不会有这种情况: 把金属保护盖直接焊在核心上, 等于变相增大核心面积, 即: 针对同一个核心 ...

还是那句话。。任何东西都是有热阻的，虽然金属的小很多。你加一个介质，导热能力多少会受影响

overthink 发表于 2012-4-28 09:44
IVB高温的原因是 DIE面积小，发热集中么？

应该是，或者die本身的热阻不足以传导热量了

rednaxela 发表于 2012-4-28 09:57
求R大开个正式版 ES对我等小白没有意义
最好是神州数码的

这个ES的步进已经和正式版是一样的了

dsddsd 发表于 2012-4-28 11:04
还有一个疑问，核心面积小造成温度高？有没有贴证明

这个没办法证明，毕竟我没法改变核心面积
但是同样功率下面积越小温度越高这个应该能理解吧

鸦Key 发表于 2012-4-28 11:47
想问R大现在想购入CPU到底是选SNB还是IVB（无视核显和功耗），求推荐！

看你对温度的敏感度如何了，如果看80度不顺眼就不考虑IVB吧
如果想看到更低电压跑高频或者超内存可以考虑IVB
另外IVB刚上市价格虚高如果你现在买也可以买SNB

linkey 发表于 2012-4-28 12:01
r大,有人说系统报告的cpu温度不准.3770k和2700k测试标准可能不一样.

我认为你再用别的什么东东测试一下散 ...

测温不准的问题我也有怀疑过，从Intel的3rd-gen-core-lga1155-socket-guide.pdf里chapter 8的情况来看，内容与SNB的文档完全一样，Tjmax和Tcase的曲线也是照抄SNB无变化。可能正是因为用了和SNB一样的测温标准所以导致温度不准确，不过这也只是我的个人推断而已了，未必准确，因为这个文档的最终目的是为了给下游厂商设计散热器做参考的。

散热器底部的温度开盖前我测试过，在CPU核心100度的时候底座只有35-36度，具体可以看IVB的评测那篇文章。

毕竟核心温度读数是微观的，除了die内sensor之外我们无法测量，我们能有机会测量到的CPU die表面、IHS、散热器底座的温度都是宏观的，这部分热量就表现为CPU整体功耗与导热介质（硅脂、散热器、IHS等）的热阻的关系了，而IVB的整体功耗并不大，所以这个温度很低是正常的。

但是无论测温准不准，80度开始显现的主频墙，105度的过热降频，不管测温准不准，这些制约我们超频的因素不会变，所以。。。我觉得这温度报告信不信都罢了吧

tevry 发表于 2012-4-28 13:27
请教R大。如果不超频，正常使用的时候温度大概多少啊？会比SNB高好多吗？
我想买3770加ASUS P8Z77-M PRO这 ...

MLGB散热，默频3.5G turbo 3.7G 1.08V 室温28 裸机，满载65度

luckissy 发表于 2012-4-28 13:34
上炮应该有用吧

上炮不需要开盖也一样的了，在那种低温下这点热阻算不了什么

fmplayer 发表于 2012-4-28 16:15
Royalk 斑竹，你好！

我拜读了你的大作《 开盖有奖？实测Core i7-3770K开盖后温度变化情况》，有两个问题 ...

1. 会，默频下也要比SNB热
2. 不过时，SNB和IVB性能差异很少

kevinkt 发表于 2012-4-28 17:19
實在很懷疑這麼小的die可以把熱封存在裡面導不出來
實測功耗低
外部溫度量測也低

参考我152楼的回复
http://bbs.pceva.com.cn/forum.ph ... 3705&pid=529015

diablozhao 发表于 2012-4-28 18:37
我基本不玩超频,也是这次准备买K3770了,才观注到这个次的"牙膏"事件.

大大这次V5的开盖实测,很大程度证明 ...

锡封装的顶盖可以认为是DIE的延伸,增加了DIE的体积

这个不能这么说，毕竟发热的还是die那部分，无论是锡也好硅脂也好，都只是一个导热介质。当然金属的导热能力会比硅脂好很多

至于开盖后对温度没有影响的原因，首先要知道导热系数单位W/mK的意义，W是热功率，m是厚度，K是温度。也就是同样的物质，体积越大导热能力越差（热阻越大）。因此我认为是硅脂的厚度很少，因此热阻也不会很高的了。

yjxshhz 发表于 2012-4-28 18:52
R大。太强力了。那么LGA2011更值得选择咯？

LGA2011的平台成本摆在那，而且只是温度低而已，平台功耗并不低

lbs 发表于 2012-4-28 19:19
看来还是R大手法高明.

不过我觉得那老外那么搞不一定能把cpu搞坏, 看上去外观没什么损伤, 点不亮的原因 ...

他那个最后有个图，die缺了一个角。可能是某一刀下去的时候切到die了

dsddsd 发表于 2012-4-28 20:21
嗯，但是有详细的实验和计算更好，就像很多人证明1加1等2。重要的是科学的实证精神。 ...

热能=比热容x质量x温度
质量=体积x密度
同样的物质比热容一样，密度一样，所以在热能一样的情况下体积越大温度越小

NOD神隼人 发表于 2012-4-28 22:04
这U后来如何了，不会就这么用着了吧！当时也有想如果拆掉盖子后会如何固定，看来只有这样贴着了。即使架 ...

目前还是这么用着
回头我找点东西把盖子粘回去

鸦Key 发表于 2012-4-28 22:59
顺便请教下R大 SNB+Z77+GTX680组合能否使用PIC-E 3.0？

不能。SNB没有PCIE3.0的

dsddsd 发表于 2012-4-29 09:15
我说的意思是snb和ivb,核心面积相差的那部分，是否真能造成这么大的温差？有文章提出是22nm的三栅极晶体 ...

有一种说法是指3D晶体管source和drain的表面积增加，并且source和drain是朝向三个方向的，因此在微观上会存在表面积增大，直接增加发热密度，并且热流密度不一样导致散热问题。不过这只是一种推测，真正如何估计只有intel自己知道。

ssn20 发表于 2012-4-29 22:10
猜想一下会不会是发热源到硅表面的距离比原来的长导致这种结果呢，拿网上的数据估算差个0.1毫米温差能大6 ...

是有这种可能。但是具体细节情况不得而知了

0.618 发表于 2012-4-30 13:23
这个盖内的硅胶 用几年会不会硬化 导热更加差....

本来就硬，应该不会变化太多了

Asuka 发表于 2012-4-30 10:36
看回帖觉得   还是大把大把没有看过我帖子的人啊
╮(╯▽╰)╭

因为多数人都是来看热闹的