[Asuka讲堂之补充]CPU是如何制造的

maoyanjiea · 发表于 2012-3-31 17:45

本帖最后由 maoyanjiea 于 2012-3-31 17:47 编辑

作为一学物理表示这玩意太麻烦了..........一个离子注入就能把人搞个半死

maoyanjiea · 发表于 2012-4-1 00:22

heren3 发表于 2012-3-31 19:26
在掩模下可以大规模制造P，N区域

根据离子注入的原理和制造工艺难易我认为目前仍然在使用掩模下的离子注 ...

光刻设备主要是佳能尼康阿斯麦这三家厂商，还有像IBM这些搞研究的偶尔会出样机
这货还是挺复杂的

maoyanjiea · 发表于 2012-4-1 00:28

没记错的话互连的Cu膜是物理气相沉积（PVD），其它的膜是等离子体增强化学气相沉积（PECVD）做的，蚀刻也是完全的等离子体蚀刻，那个图还是有点误导的

maoyanjiea · 发表于 2012-4-1 11:58

heren3 发表于 2012-4-1 01:10
那个覆铜的确是…
PECVD已经如此广泛使用了？那层光刻胶不能用吧？

立体的........做这个压力很大......

maoyanjiea · 发表于 2012-4-2 00:49

alanrichard 发表于 2012-4-1 16:41
EUV还没投入生产吧 22nm还是用193的 EUV不知道什么时候能用...

几乎没进展......OTL.....