Asuka小讲堂开讲啦！之一：摩尔定律

科普好文

值得深入学习

来补课了~~吐槽下LZ的昵称，是明日香还是飞鸟啊？

幻目之童 发表于 2012-4-1 17:34
来补课了~~吐槽下LZ的昵称，是明日香还是飞鸟啊？

喵，前者^o^

昨天还百度了一天，找这个摩尔定律相关的知识。终于在这找到了，lz继续讲吧。为什么摩尔定律规定的周期是18个月？这18个月过程是怎样的？为什么不是8个月或者8天？为什么？为什么！？

liwer 发表于 2012-4-3 08:08
昨天还百度了一天，找这个摩尔定律相关的知识。终于在这找到了，lz继续讲吧。为什么摩尔定律规定的周期是18 ...

一开始说起来还要快呢   后来发现赶不上了  所以修正到18 现在就差不多  不过已经接近要到24了

这文章非常不错

看到说3D技术了，突然想起来，比如原来晶体管都是平面的，那么散热什么的，也就只需要一面就够了。
现在从平面升级到立体的了，结果散热还是平面的，也就难怪温度高了。就算散热做成立体的包裹起来，那也会像地球一样的，核心温度很高啊。。。

无责任猜想，不晓得从专业的角度来说会是怎么样的。

额，看了后面几个讲座才知道原来不是我想的那样

travis 发表于 2012-3-20 23:30
后面能不能提一下制程是如何和晶体管功耗(静态/动态)、速度联系到一起的？虽然知道结论性的性能上升、功耗 ...

嘿，蛋痛瞎说说，全当参考。

上面也说到了线宽这个概念，基本上这个就是开关的长度。IC里面电路工作机制就是信号从一个mos到另外一个mos，让不让这个信号通过mos，就是靠开关上面施加电压来达到的，加了电压可以把半导体里面的电子吸到开关附近，形成一条电子能经过的通道。

可以把开关看成一个阀门，阀门开，电子就能经过，阀门关，电子不能经过。但是这个阀门也是有长度的，电子在相同材料里面的运动速度是相同的，如果阀门的距离变短了，那经过这个门的时间也就变短了。因为要完成一次运算，要经过好多个开关，经过每个开关的时间变短了，从外界看，速度就变快了....



如有谬误，请多指正...

leedemon 发表于 2012-4-12 19:25
嘿，蛋痛瞎说说，全当参考。

上面也说到了线宽这个概念，基本上这个就是开关的长度。IC里面电路工作机制 ...

汗，上面说的有问题，刚刚搜了一下，补充一下

Besides line width, some other parameters are also reduced with scaling such as the
MOSFET gate oxide thickness and the power supply voltage. The reductions are chosen
such that the transistor current density (Ion/W) increases with each new node.  Also, the smaller transistors and shorter interconnects lead to smaller capacitances.  Together, these
changes cause the circuit delays to drop (Eq. 6.7.1).  Historically, integrated circuit speed
has increased roughly 30% at each new technology node.

大意如下：使用更小的线宽，还能减少其他的参数，包括MOS gate氧化物的密度和电源电压。这样也就提高了晶体管电流密度(Ion/W) 。更小的晶体管和更短的互连线可以获得更小的电容。这些变化可以让电路延迟变小。从历史看，每次工艺的提升可以让电路速度提高30%。

原文地址：http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee130/sp06/chp7full.pdf

学习了，感谢楼主分享

第一次接触到这个摩尔定理好像说是18个月的

人类的智商还没落后到现在就要延长摩尔定律这个地步

又是一堂讲座课

不要说我挖坟，小弟起步也很晚，最近找到这里。又发现此技术帖，于是决定仔细读一读。

学习知识了........

先顶后看 国际惯例

新手表示英文是个难题..........

不错的科普文。