785GTM-E45用户 好自为之

这是哪一颗？

　　{:4_136:}

应该是RP问题，上回谁不是还拿E45上炮了~

上次是烧MOSFET，这回换电容了

夏天马上到来~

现在室温才28，等30才算到

回复 25# hclo


    E65太贵，可以考虑楼主的890GX

回复  karl.12


    功耗与频率和电压都成正比，维持功耗不变，一个升，另外是不是要降？ ...
changchar 发表于 2010-6-23 00:05

    那也得U吃得消这个降幅啊～
否则点亮都是问题

实际情况是U的频率和电压成正比例上升啊～

3+1供电确实带四核高频比较寒蝉了~
不过用5000的人一般散热都不会太好，除了小涓涓~

既然说到deneb　功耗，那干脆展开开来讨论一下~

同时不只是deneb，AMD　45nm SOI工艺的CPU应该都有这个特性。
从图可以看出，L3就是十几瓦的功耗，相当于满负载下100MHZ左右的频率。

所谓的功耗“线性增长”只限于大概1V~1.4V以内的范围，显然加压过一个临界的阙值以后，功耗会急剧增加。每个U的这个临界值不一样，和U的体制有关，激光在晶圆上刻线做不到每个都一样，并且拉升晶圆的间距也不可能完全相同。在逼近工艺的物理极限的道路上，这个漏电阙值还将继续存在。目前来看英特尔的高K也没有很好解决漏电的情况，得益于I　U耐热，所以热墙没有A这么明显。

大家过了1.4V超频，热量提升的非常明显。（这个1.4V为大概估值，每个人的U都多少有点差异的）
这时候就对大家的散热和电源以及主板供电提了较高要求。


5000+E45想长治久安：1.大热天别去闲得没事烤鸡；2.用overthink的方法，开机添加K10STAT参数启动；3.换个稍微过得去一点的散热，能像小东东那样用南海自强和MLGB就能放心了；4.换一个保证+12V输出稳定的电源；5.给北桥和供电加强散热，并且理顺机箱风道；6.信春哥，得永生。即使烧了都能满状态复活……

回复 53# royalk


    1.其实是电流决定的~漏电率增加了，电压只能加上去。大部分额外功耗都是流窜电流带来的。1.4V 3G和1.25V 3.3G的意思我一开始就明白。:lol
2.
关于SOI和ｈｋｍｇ我们已经私下讨论多次，既然又提到了，那就等下班再展开一遍，让石头把这个帖子加精吧~
这让我想起了从08年开始，我俩在OCER盖楼讨论的情形，当然多半是我向你请教。现OCER那个帖子都被删掉很久了，不由感到失落，不然现在依然很有参考价值。
High-K是45nm时期，英特尔才引入的技术，IBM不肯把SOI提供给他，才搞了个HKMG。Prescott 撑死有个low-k。
我一直感觉就是这个HKMG造成的I U　cold bug，因为这个铪(Hr)的化合物可能在低温下的电介质会有不小的变化。电化学不是我的专业，不知道了~
3.感觉我的阙值电压从1.375V就开始了，热量几何倍数增加~
4.高温会造成电器元件老化，MOSFET和电容的阻值变了才会导致瞬间过载
5.搞了E45就信春哥吧~RP好一切都好

回复 77# royalk


    太长了，另起一帖回你
欺负我穷人没有好散热{:4_122:}
还是得感谢woshizidiao，没有他，我只能用红海标准了
{:4_124:}

3项供电能力是瓶颈了。
ovortune 发表于 2010-6-24 11:13

    看来是的
上四核至少4+1了~

最近显卡那个汇总有没有更新啊？

回复 82# ovortune


    又有东西可以期待了~

现在没有太多时间弄，女人太累人了，抽空吧，抽时间好好整理一下再发到这里来。 ...
ovortune 发表于 2010-6-24 11:37

    看走眼一个字
{:4_146:}

回复 1# royalk


   

{:4_136:}而已~

对于1055来说3.6当然是像玩似的

我又不在和5K比
是你在说5K啊~
我让你看图看板

是很正常~
{:4_136:}