[内存] 海力士迈向4000的一步，DDR4 CJR "C-Die"

正好手里的金士顿HyperX Predator DDR4 3333套条(8G *2)就是这个海力士的CJR颗粒。
超频能力确实出乎意料之外，特别在我这一代锐龙R5 1500X + X370这样对内存极不友好的平台上，上3600很轻松（SOC 1.1V，DRAM1.36V）。但是过MT100%就需要降回到3466并且放开一些小参，这个我估计是15X的IMC太孱弱的原因，毕竟我用DRAM-Calculator-for-Ryzen-1.4.0.1优化小参的时候只要超过3466软件就会提示已经到达ZEN一代的极限。

总的来说与比较优秀的Bdie条子相比，时序上有些劣势，但是频率上毫不逊色（起码在我这套A平台上是如此）。
另外上面提到吃电压，但是从我自己的经历来看，1.35V就能到3600，再高似乎也没让内存在这个频率上变得更稳定，当然这个锅可能是1500X的IMC来背。

547737657 发表于 2018-11-4 11:24
你可参照对方的ODT设置电阻，或许有惊喜
https://www.chiphell.com/thread-1913592-1-1.html

感谢，CHH的这个帖子写的很详细，有空我再折腾一下这套内存看看能不能稳住3600。

547737657 发表于 2018-11-5 12:42
嗯，海力士在于颗粒本身的进步，三星C die估计BIOS对A2 RAW CARD优化的结果。后者4133 19-23-23 1.35v，电 ...

昨晚看了CHH的帖子后又简单尝试了一下，3600依然无法保证过MT，帖子中的超频方法我感觉并不适合海力士颗粒。CHH那位总结的经验可能对三星BDIE这类吃电压的颗粒更加适用一点。比如它的第一步小参全Auto先摸频率与DIMM电压和SOC电压的方式就和我的超频感受完全不一样。我这对金士顿条子如果全AUTO直接上3600最多进BIOS，加载win10的瞬间极大概率蓝屏，而且加压也不管用，特别是SOC电压，在我手里的感受是1.08V-1.1V是最优的，加到更高对稳定性反而起了反作用。


跑到德文原贴那里瞄了一眼，展示出来的CJR颗粒芝奇SniperX超频结果中的电压频率关系和我的经验比较相仿，即使超到3800的频率，DIMM电压1.35V，SOC电压1.1V以内。

由于我的平台特性可能也限制了内存超频的发挥，加上4核8线程的U跑MT也比较慢，暂时不准备折腾了。。。

547737657 发表于 2018-11-11 15:20
我会陆续更新CRJ的体质！
小小的进步，通过RAM Test 1000%
纯净精简版系统下的带宽，如此美妙！

牛逼牛逼~~~~
话说你的条子是芝奇狙击者3600C19？

547737657 发表于 2018-11-12 11:05
是，你可以关注新版3200C16幻光戟的颗粒了

幻光戟3200C16还是算了，万一没摸到CJR感觉血亏。
双十一刚刚败了一套影驰HOF3600陶瓷条，不知道哪里弄来的库存，没听说影驰要复产这个系列。到手了和我的金士顿CJR比较一下

547737657 发表于 2018-11-12 17:17
CJR被筛选过的B die摁在地上摩擦摩擦
52/50 4000 15-20-20-34 2T 1.56v 35.8ns，隔壁NGA轻松33.5ns
[NGA]Z ...

IU我就不比了，和自己的金士顿CJR颗粒条子比一下，HOF3600EX的结果

547737657 发表于 2018-11-11 15:20
我会陆续更新CRJ的体质！
小小的进步，通过RAM Test 1000%
纯净精简版系统下的带宽，如此美妙！

问下你这个RAM test软件可以分享一下吗？
看起来很简洁

547737657 发表于 2018-11-26 17:24
RAM Test 1.1.0.0
RAM Test is a fast and reliable memory testing software capable of detecting both  ...

谢谢咯！我去研究下。
PS：这售价可真不便宜。。