为什么英特尔/美光的3D闪存还在用浮栅型结构？

dboy99 发表于 2018-7-27 09:27
关于FG比CT保存期更长这点我有疑问，之前看过一篇论文，在氮化镓上CT比FG的保存期更长，CT的漏电速度远低于 ...

每家工艺不一样吧，美光的半导体成分要是跟这个论文里说的一致，才可以当做参考。这个文章是根据海外一些媒体报道汇总的，具体更深度的，我们还不知道咯，欢迎补充完善

dboy99 发表于 2018-7-27 11:19
有业内爆料，真假不知，如果是真的话，IM的第一代3D nand的烂也许真的跟单元结构有很大关系。
...

涉及到半导体材料深层的东西了，等大佬放资料吧……

dboy99 发表于 2018-7-27 20:04
nand的写入速度跟寿命是有关联的，降低写入速度就可以大幅度提高寿命

美光的速度比同代的东芝慢，归根究底 ...

你很好的解释了那些垃圾颗粒的原理