近日，浴室3年前的老帖《MLC和TLC闪存差的只是P/E么？不要被绕进去哦》又一次被网友顶了起来。时过境迁，过去作为“少数派”的TLC闪存现今已成为几乎唯一的选择，原帖中的内容是否依然成立？对于TLC取代MLC，以及明年QLC的问世，我们是否又该持悲观态度呢？
现在应该已经没有人在纠结选不选TLC——因为你没的选。除了极个别几款MLC闪存型号之外，TLC是绝对的主流。而在这其中，3D闪存的份额正快速增长，原因还是和过去2D TLC替代MLC一样，3D闪存的成本已经降低了，同时三星和东芝也还在建立新厂扩增产能。
如何看待3D TLC？
3D TLC是成本的选择，也是容量的选择。从第一代32层堆叠到第二代64层堆叠，美光的3D TLC存储密度暴增90%，性能也比初代产品大有改观。可以说3D堆叠为闪存发展提供了崭新的道路，尤其是进入64层堆叠时代之后，3D TLC表现的更加成熟了。
TLC的写入速度比MLC低，3D TLC大约需要512G的容量级才能确保超出SATA3.0带宽，显现为不掉速，而MLC闪存只需一半左右（256GB）容量就能实现同样效果。伴随3D TLC发展的还有PCIe NVMe SSD，接口带宽提升之后，用户可能会对写入性能有更多的想法，所以有很多固态硬盘采用了全盘SLC的策略，最大化持续写入速度。
当然从算法和优化程度来说，不同方案下全盘SLC Cache的表现差距还是很大的。有可能你碰到了一款优化很烂的盘，这个方案可能会给你留下3D TLC是垃圾的印象。
但如果选到优秀的硬件方案，主控硬件规格没有大幅缩水、固件优化到位，那么用户获得的又将是截然不同的高端体验。固态硬盘是一个整体工程，不应让部分山寨硬件方案影响到你对当代3D闪存技术的评价。
TLC的耐久度现在怎么样了？
从2D TLC演变到今天的64层堆叠3D TLC，TLC闪存的耐久度表现进步了多少？这个问题我也很关心，所以PCEVA近期有对3D闪存SSD做耐久度测试的计划。当然，和以前一样，PCEVA的耐久度测试不会一路写到挂盘，而是会穿插高温加速模拟数据保存期测试，无法通过长期断电数据完整性测试的SSD会直接被宣布终结。这样的测试成绩肯定不如当初很多媒体测三星的结果漂亮（不断电写到出错挂盘为止），但是成绩更真实更有价值。
一块SSD的耐久度表现跟很多因素有关，闪存自身特性是很重要的一部分，主控的纠错处理也是重要的影响因素。相比3年前BCH纠错算法+Read Retry重读，现在LDPC纠错算法的能力更强。
TLC寿命末期还会掉速吗？
3年前的帖子中，浴室讲了很多TLC闪存的弊端，其中很重要的一点就是TLC会早于MLC进入寿命末期，即便有强力纠错算法能为其延寿，但会损失读写性能。
虽然PCEVA针对3D闪存SSD的耐久度测试还没有开始，但可以肯定的告诉大家，3D闪存+LDPC纠错依然会在闪存寿命末期面临类似的问题。但对于用户的影响有多大要取决于多种因素的影响：
1.3D闪存的寿命是否延长到正常使用周期内不会掉速的水平？
2.LDPC纠错算法的优化程度，尤其是软解码的算法水平会很大程度上影响延迟表现优劣
3.固件闲时巡读算法的设计会影响老文件读取速度保持的效果
TLC现在是什么水平？
3年前有一个非常经典的图表告诉大家闪存发展的“不可持续性”。这张图表用每个逻辑单元的电子数量降低幅度表达了NAND闪存发展的瓶颈。电子数量太少，以至于无法正确保存和表达数据，闪存降成本扩容量的发展之路就走到头了。那么现在的3D闪存到底走到哪个阶段了？
自从进入3D时代之后，各家闪存原厂就不再披露具体的制程信息，三星也只在第一代3D TLC时透露回退到40nm制程，这个数字自然是一直在变化的。根据TechInsights的报告，当前64层堆叠3D闪存中，美光和三星使用了20nm工艺，东芝使用了19nm工艺。闪存原厂不披露具体工艺数值，一方面可能是因为这个数字的确不容易继续推进降低了，另一方面它已经不代表工艺的先进程度，3D闪存的结构相比2D平面时代已经发生了革命性的变化，堆叠层数才是新的先进性指标。
如果按照上面的图表，20nm的数值也是位于红线下方的。但是，一方面这个图表中所介绍的电子数量是过去2D结构下的数值，不能直接套用到3D闪存当中，另一方面随着LDPC纠错技术的进步，硬解码能够高效实现的纠错能力已经在一定程度上超过了过去BCH+Read Retry才能达到的水平。所以过去的危机标准未必适合现在。
东芝、美光和三星已经先后宣布了3D QLC闪存的计划，东芝更是表示3D QLC耐久度将保持和TLC一致的水平，当然这其中的技术挑战很大。但QLC问世在即，至少说明3D TLC当前已经是非常成熟的阶段了。
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