坚果R1的皇帝版8G+1T ROM配置赚足了眼球，借助于当代64层堆叠3D闪存，单芯片封装1T闪存颗粒得以问世，这才让手机达到了移动硬盘级的容量。
不过很快手机闪存的容量还将刷新记录，预计明年年初就将有1.5T闪存颗粒。推动容量上升的是3D闪存的堆叠层数。东芝预计96层3D闪存就可以提供768Gb的单晶粒容量，辅以叠Die技术即可实现单颗1.5T的闪存。
最近在日本举行的国际存储研讨会上，来自应用材料公司的Sean Kang介绍了未来3年内3D闪存的技术演进路线。今年年底实现90层以上堆叠，到2020年实现大于120层堆叠，2021年可实现大于140层堆叠。
当然就如同平地建起的大厦一样，没有牢固的根基是无法稳定的拔地而起。随着堆叠层数的增加，3D闪存堆叠高度增长将会给蚀刻技术带来挑战。为应对这一挑战需要压减3D闪存中字线和绝缘膜的厚度，抑制闪存单元堆叠高度的升高速度。
要压减高度的目的，需要在材料和工艺上取得新的突破。而日本恰恰在基础材料研发上拥有优势，就我们所知的英特尔年度供应商奖名单中，提供材料技术支持的日本企业占据半壁以上江山。
就目前的计划来看，闪存制造企业需要克服工艺与材料瓶颈，将字线与绝缘的叠层高度从70nm一步步压低到45-50nm，才能实现大于140层的堆叠高度。除此之外，英特尔/美光已经在他们的第二代64层堆叠3D闪存中应用了CuA（CMOS under Array）技术，这有可能成为未来3D闪存的标配，它是将外围电路置于存储单元阵列之下，进一步提升存储密度。据美光透露，该技术在64层堆叠水平下可提供高达25%的空间节省率，这意味着更低的单位容量成本和更大的闪存容量。
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