有个地方没理解，3D闪存能否理解为2D闪存的叠加？
我看中关村说的：http://news.mydrivers.com/1/477/477251.htm
比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
貌似相同面积，层数的增加并不是简单的线性比例，难道是举例的制程不同？
如果制程相同，2D是1Gb/mm2，那么64层的3D是否就能达到64Gb/mm2呢？
还有个问题，层数增加除了减少封装的成本以外，还有啥成本减少？ |
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