Finfet/3D晶体管时代的几个工艺

我只知道目前晶体管数量最多的就是V100  晶体管数量高达211亿，估计英特尔的14nm+++都做不出这种晶体管暴多的巨兽吧

我只知道目前晶体管数量最多的就是V100  晶体管数量高达211亿，估计英特尔的14nm+++都做不出这种晶体管暴多的巨兽吧

haomingci3 发表于 2017-8-5 06:42
我看除了成本拿14++去做没什么问题，GV100的面积非常大，如果你去算GV100对比GP100的晶体管密度提升为3.2 ...

那你觉得拿14++来做GV100面积能压到多少mm2？如果真的拿14++来做GV100的话晶体管能不能上到400亿？

haomingci3 发表于 2017-8-16 13:41
14++的密度和12FFN差不多，就面积来说压不了多少

那用14++来做GV100的话，晶体管还能增加多少？

haomingci3 发表于 2017-8-17 18:02
密度差不多也增加不了什么

那这么说来，14nm++和12FFN是同一级别的咯？台积电居然在制造工艺上追平了英特尔，真不可思议啊，怪不得黄仁勋说台积电的制造工艺用来做大核心不比英特尔的差

haomingci3 发表于 2017-8-17 22:48
密度一样而已，追平无从谈起，要是想要，初代14nm的密度比14+和14++都大，用来做现在的伏特面积比12FFN和 ...

这么说来初代14nm才是王道？现在的14nm+ 14nm++都是垃圾货？如果用初代14nm来做GV100的话，在同为815mm2的面积下可以放入多少晶体管？

FlankerWang 发表于 2017-8-17 23:40
你真的认真看了顶楼么...

当然是看了，所以才认识到intel初代的14nm才是王道，对于高性能的大核心来说，intel初代14nm估计可以轻松爆掉台积电12nmFFN，个人估计如果GV100用intel初代14nm来做和台积电12nmFFN同样的面积起码能放入300亿晶体管

danze 发表于 2017-8-18 15:00
密度是密度，性能是性能  没看完顶楼吧?

密度就是集成度，性能是频率，对于英特尔来说哪个14nm工艺可以和台积电的12nmFFN抗衡？是14nm/14nm+/14nm++?

haomingci3 发表于 2017-8-19 07:13
工艺要看应用场景，这我主贴已经说的比较明白了，不是简单的谁王道谁垃圾，密度大小更是无法决定一个工艺 ...

那这么说来14nm++不适合做GV100这种特大核心，还是14nm+适合做GV100这种特大核心，如果用14nm+来做GV100的话你估计性能还能拔高多少？也就是面积还能增大多少？频率还能提高多少？