低延迟的革命 Intel 3D XPoint技术优势解读

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 14:09

没有必要使用DIMM。
历来内存不是系统瓶颈，外存才是。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 15:52

SF2281 发表于 2016-9-5 14:44
从10秒提升到1秒感觉提升巨大，从1秒提升到0.01秒就没什么感觉了。不过有新东西总是好的，等上市，看成品， ...

你的电脑上只存储有一个K的数据么？
10秒提升1秒是1秒提升到0.1秒的另一种表达方式。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 16:02

本帖最后由 aixiangsui 于 2016-9-5 16:05 编辑

目前内存和闪存的延迟时间有好几个数量级的差别。
闪存有人以为速度快，其实是幻觉，它的速度本质上来说和机械硬盘比没有优势。（对比于硬盘闪存真正的优势在于不需要像硬盘那样寻道）
之所以做出产品来感觉速度还过得去的样子，是因为闪存产品采用多通道读写。
U盘这种缩水产品的速度更接近于闪存的实力。。。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 16:18

SF2281 发表于 2016-9-5 16:10
我只是打个比方啊，从10到1提升了9，从1到0.1提升了0.9，都是比原先提升了10倍，但是快了9秒和快了0.9 ...

你完全没有搞懂产品的原理和意义。
运输一个字节的时间提升了10倍，运输1个G的时间也会提升十倍。根本不存在快不快9秒还是0.9秒的区别。
换个简单点的话说，原先你开机10秒，这种提升下理论上就是只需要1秒（不考虑其他初始化），原先你硬盘对拷30分钟，现在就是只需要3分钟。
如果你平时烤数据或者开机只要1秒，你硬盘上也没有虚拟内存的话，这产品或许对你来说没意义。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 16:29

这技术intel的宣传是芯片延迟水平比闪存优秀千倍，但限于主控等原因（同时不排除intel吹水），目前实际做出来的成品延迟水平只比闪存优秀8倍，DIMM产品也因此推后到至少18年以后（能不推后么，人家内存延迟只有十纳秒水平）

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 16:36

SF2281 发表于 2016-9-5 16:33
对啊，原先开机10秒，优化开机后1秒，我感觉提升很大。

原先开机1秒，优化后开机0.1秒，就没什么感觉了 ...

如果你现在开机能够1秒，程序打开都是秒开，那我没什么要说的。
反正我是自用学习机后，再没遇到过那么快的。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 17:32

OstCollector 发表于 2016-9-5 17:21
替代DRAM？没有驱动？上层软件不做改动？

我没记错的话，这玩意儿有写入次数限制，到时候一个counter就能 ...

并没有写入次数限制。只有闪存有写入次数限制。
但是，这东西的DIMM也许永远出不来，虽然官方只是说延迟到18年，但理论上的1000倍提升实际上只有8倍提升，这么大的差距如果说全是主控的锅似乎也说不过去。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 17:42

OstCollector 发表于 2016-9-5 17:35
from http://www.intel.com/newsroom/kits/nvm/3dxpoint/pdfs/NextGen_NVM_FunFacts.pdf

不要当真，那只是表示比NAND寿命长的意思。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 17:43

OstCollector 发表于 2016-9-5 17:39
不一定

突发访问耗时的减小，和随机访问耗时的减小并不一定有直接关系

你没弄明白我们争论的是啥吧。。。。八竿子打不着。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 21:31

本帖最后由 aixiangsui 于 2016-9-5 21:45 编辑

维他命W 发表于 2016-9-5 20:36
不太同意这个看法……

其实我倒是认为~ 内存延迟是目前CPU性能无法显著提升的主要瓶颈，理由是因为另一 ...

好像没有看到说目前CPU性能怎么受限于内存吧。何况这个东西的延迟比内存还是大太多了，用上去适得其反。目前内存的延迟在十纳秒级，闪存的延迟在十微秒级，而这个东西的延迟在微秒级。

aixiangsui · 发表于 2016-9-5 21:36

本帖最后由 aixiangsui 于 2016-9-5 21:38 编辑

jerrytsao 发表于 2016-9-5 20:02
1000倍是指Cell Level速度, 做成SSD之后当然不可能这么快, 这只是Intel Optane和Micron QuantX的宣传手段 ...

这个我前面也提到过，但差别过大，恐怕内有乾坤，所以不看好DIMM的前途。
至于寿命耐久方面，闪存有确切的写入寿命是因为它的结构使然。目前我没有看到关于xpoint上有相关类似结构或限制的材料，而前面那张给出的1000倍没有标明参考对象，slc或mlc，不同制程不同品牌，在写入寿命方面都有很大差别，而图上也没有确切说明是与写入次数相关，所以我觉得像是intel简单做了个老化实验的结果，而不是说xpoint有类似于闪存的写入寿命。如果有相关资料，欢迎给出。

aixiangsui · 发表于 2016-9-6 20:30

吹牛技术哪家强？看来intel的吹牛技术还是太低了，因为富士通已经吹嘘了一种更神的NRAM。
这种NRAM据说有很长的寿命和极快的读写速度，尤其是后者，富士通吹嘘说碳纳米管开关速度高达皮秒级。

aixiangsui · 发表于 2016-9-8 18:46

也许这种技术里只有粒子的迁移，就像锂离子电池里发生的一样。不然为什么那么信誓旦旦的说不是相变技术呢。

aixiangsui · 发表于 2016-9-10 22:51

jerrytsao 发表于 2016-9-10 05:24
碳纳米管RAM, 其实是开发公司Nantero授权给Fujitsu旗下两家公司进行晶圆研发, 这货确实最有潜力成为真正的 ...

额，谢谢给予材料。感觉物理性变化的材料能赶上纯电路的速度有点不可思议。