OCZ Trion 100 240GB A19nm TLC高磨损下的烘烤模拟测试

也许搬移策略可以进一步改善……

比如：
在读取发生错误后，对该区域做标记（标为待转移区），在其他正常写入请求时，视负载情况，将那些标记区分批的逐步搬移。即根据读取情况预判潜在故障，在其他正常的写入请求的时候，将那些待转移区的数据，分批量的混在正常写入流中进行搬移（尤其是混在那些小写入中，凑成一个最经济的写入操作批量）。

仅在主机发出待机信号时，才进行大规模的转储。


一个好的策略，能否进一步改善数据搬移时引发的卡顿体验？